[发明专利]粘合剂组合物、粘合带、以及晶片的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有高初期粘合力而可以牢固地固定被粘物、并且即使在经过200℃以上的高温加工工艺后也可以通过照射光而容易地剥离的粘合剂组合物；以及使用了该粘合剂组合物的粘合带；使用该粘合剂组合物的晶片的处理方法。

背景技术

在半导体的制造中，为了在加工时使半导体的处置变得容易、且防止其破损，而进行了贴附半导体加工用胶带的操作。例如，在将从高纯度的硅单晶等中切出的厚膜晶片研磨至规定的厚度而制成薄膜晶片的情况下，在将厚膜晶片粘接在支承板上而进行加强时可使用双面粘合带。另外，在将研磨为规定的厚度的薄膜晶片切割为各个IC芯片时，也可使用被称作切割带的粘合带。

对于半导体加工用胶带而言，要求可以在加工工序中将半导体牢固地固定的高粘合性、并且要求可以在工序结束后不损伤半导体地加以剥离。针对于此，专利文献1中公开了粘合带，所述粘合带使用了通过照射紫外线等光而发生固化而使粘合力降低的光固化型粘合剂。此种粘合带在加工工序中可以可靠地将半导体固定，并且可以通过照射紫外线等而很容易加以剥离。

即使是此种使用了光固化型粘合剂的粘合带，在用于具有加热工序的半导体的加工时的情况下，也会有如下的问题，即，即使照射紫外线等也不会使粘合力充分地降低，因而有时无法剥离。对此可认为是由于粘合剂的粘接力因加热而剧增的缘故。

针对于此，在专利文献2中公开了使用了光固化型粘合剂的胶带，所述光固化型粘合剂含有丙烯酸系聚合物作为主剂、含有具有自由基聚合性的不饱和键的(甲基)丙烯酸系低聚物作为渗出剂(bleeding agent)。记载了如下的内容，即，通过含有此种渗出剂，从而在室温下与上述光固化型粘合剂的相溶性高而不会妨碍粘合性，另一方面，在加热条件下与上述光固化型粘合剂的相溶性降低而渗出，因此可以容易地加以剥离。

但是，近年来，在半导体加工中，需要CVD工艺或焊料回流工艺等200℃以上的高温加工工艺的加工增多起来。在经过这样的高温加工工艺后，例如即使是专利文献2中记载的光固化型粘合剂，也会有粘合剂烧焦粘附于被粘物上、或虽然没有烧焦却也极难剥离的问题。

现有专利文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-32946号公报

专利文献2：日本特开2008-280505号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明提供具有高初期粘合力而可以牢固地固定被粘物、并且即使在经过200℃以上的高温加工工艺后也可以通过照射光而容易地加以剥离的粘合剂组合物；以及使用了该粘合剂组合物的粘合带；使用该粘合剂组合物的晶片的处理方法。

解决课题的手段

本发明是含有粘合剂成分、光聚合引发剂、以及具有能够与上述粘合剂成分交联的官能团的硅酮化合物的粘合剂组合物。

以下对本发明进行详述。

本发明人研究了将作为渗出剂的硅酮化合物添加到粘合剂中的做法。硅酮化合物因为在渗出剂中耐热性特别优异，因此期待即使经过200℃以上的高温加工工艺也可防止粘合剂的烧焦粘附，且在剥离时向被粘物界面渗出而可容易地加以剥离。但是，在配合了硅酮化合物的情况下，半导体晶片被所渗出的硅酮化合物污染，因而存在需要另外地设置清洗工序的问题。

因此，本发明人进行了深入研究，结果发现，在作为渗出剂而选择使用具有能够与粘合剂成分交联的官能团的硅酮化合物的情况下，即使在经过200℃以上的高温加工工艺后，也可以很容易地剥离，并且可以防止半导体晶片的污染，从而完成了本发明。

本发明的粘合剂组合物含有粘合剂成分。

上述粘合剂成分没有特别限定，可以是含有非固化型的粘合剂成分、固化型的粘合剂成分中的任一种粘合剂成分。

上述非固化型的粘合剂成分只要是具有可以通过照射光而与上述硅酮化合物反应的官能团的成分，就没有特别限定，可以使用以往公知的成分。具体来说，例如可以举出橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、硅酮系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、聚氨酯系粘合剂、苯乙烯/二烯嵌段共聚物系粘合剂等。其中，优选具有(甲基)丙烯酰基的粘合剂。

上述固化型的粘合剂成分没有特别限定，可以使用以往公知的光固化型的粘合剂成分或热固化型的粘合剂成分。其中，优选使用光固化型的粘合剂成分。

上述光固化型的粘合剂成分没有特别限定，可以使用以往公知的成分。具体来说，例如可以举出含有在分子内具有自由基聚合性的不饱和键的(甲基)丙烯酸烷基酯系的聚合性聚合物的光固化型粘合剂等。