[发明专利]树脂组合物和使用树脂组合物制作的半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及树脂组合物和使用树脂组合物制作的半导体装置。

本申请主张2010年9月7日在日本申请的日本特愿2010-199889号的优先权，在此引用其内容。

背景技术

近年来，在以电子设备的小型化、轻量化、高功能化为目标的市场动向中，半导体装置的高集成化、表面安装化逐年进展。例如，多元化（Multiple pins）、薄型化在以Quad Flat Package（QFP，方形扁平封装）、Small Outline Package（SOP，小外形封装）为代表的现有的表面安装型半导体装置中接近于界限，为了对应于进一步的多元化、薄型化的要求，作为下一代半导体装置，新开发出引线架-芯片级封装（LF-CSP）和球删阵列（BGA）等区域安装型半导体装置（专利文献1）。

区域安装型半导体装置通过以下的工序组装。首先，利用芯片粘合等将半导体元件搭载在金属或有机基板的单面上，仅将该半导体元件搭载面、即基板的单面用环氧树脂组合物等进行成形、密封。之后，进行在基板的未搭载半导体元件的面上安装凸点电极（焊锡球）的处理（回流处理）。而且，通过将该区域安装型半导体装置安装于母板的处理（2次安装处理）制造电子设备。区域安装型半导体装置与现有的将两面封装的外壳相比为薄型，因此，由于构成构件间的热膨胀系数的不同而引起的弯曲也容易增大，回流中的剥离、裂纹经常成为问题。

而且，作为环境对应的一环，从将半导体装置搭载在基板上时所使用的焊锡中除去废弃铅成分。作为不含有铅成分的焊锡（以下称为无铅焊锡），宽泛地使用日本电子信息技术产业协会（JEITA）推荐的Sn-Ag-Cu焊锡（熔点约220℃），但其熔点比现有的Sn-Pb焊锡（熔点约200℃）高，因此，上述的半导体装置安装时的外壳的弯曲而引起的不接合的问题更为显著。因此，对于为了将半导体元件粘结在电路基板等中而使用的热固化型粘合剂组合物，进一步要求对于焊锡的熔点温度的上升能够抑制外壳的弯曲。而且，由于高温下的回流处理使外壳内部的应力增加，因而在回流中在半导体制品中容易产生剥离或者裂纹。

另外，关于半导体制品的外装电镀，以脱铅化的目的将引线架的电镀变更为镍-钯的情况有所增加。在此，关于镍-钯镀，出于提高表面的Pd层的稳定性的目的，薄薄地进行金镀（金闪光），但由于镍-钯镀本身的平滑性和存在于表面的金，与通常的镀银铜框架等相比，粘合力降低。粘合力的降低成为回流处理时的半导体制品中的剥离、裂纹的原因。

为了抑制外壳的弯曲，提出了使用热膨胀系数低的密封树脂的方法（专利文献2）等。另外，为了抑制剥离，提出了通过将芯片焊盘做成与密封树脂具有良好的物理密合性的结构、使芯片焊盘与密封树脂的密合强度提高的方法（专利文献3），提高密封树脂的玻璃化转变温度（Tg）、降低高温下的弹性模量等的方法（专利文献4）。另外，还提出了利用2种不同的官能团的共聚、获得粘合剂的低应力性与粘合性的平衡的方法（专利文献5）。但是，仅用这些方法不能充分地解决上述半导体装置中产生的不良。

如上所述，需求一种与一直以来使用的芯片粘合膏相比高温环境下的粘合性、低应力性优异、能够减少半导体装置的弯曲的材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-109983号公报

专利文献2：日本特开2000-216299号公报

专利文献3：专利第3007632号

专利文献4：日本特开2000-72851号公报

专利文献5：WO2005-090510号

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种树脂组合物，其对半导体装置赋予即使在回流时的高温环境下半导体装置的弯曲也少、界面的粘合性优异、并且不产生剥离、裂纹等不良的优异的可靠性。

解决技术问题的手段

上述课题通过以下的[1]～[5]的本发明来实现。

[1]一种树脂组合物，其含有通式（1）所示的马来酰亚胺衍生物（A）和通式（2）所示的双马来酰亚胺化合物（B）。

（式中，R1表示碳原子数为1以上的直链或支链亚烷基，R2表示碳原子数为5以上的直链或支链烷基，并且，R1和R2的碳原子数之和为10以下。）

（式中，X1表示—O—、—COO—或—OCOO—，R3表示碳原子数为1～5的直链或支链亚烷基，R4表示碳原子数为3～6的直链或支链亚烷基，并且，m为1以上50以下的整数。）