[发明专利]半导体模块、模制装置及模制成形方法

说明书

技术领域

本发明涉及能够防止模制材料泄漏的半导体模块、通过模制部件模制成形半导体装置等模制对象物的模制装置及模制成形方法。

背景技术

具有如下的装置（参照JP2007－320102A），即、在模制室内，相对于模制对象物向接触、离开的方向（上下方向）移动的滑动部件（30）具有背面部件（31）和旋转部件（32），在背面部件（31）的下面的大致中央设有一个凸部（33），在该凸部（33）的周围配置有弹簧（34）。在该装置中，旋转部件（32）可以以凸部（33）为中心，相对于水平面在某程度的角度范围内向任一方向倾斜。因此，即使模制对象物的上面不是水平面而是倾斜面，旋转部件（32）也可以随着模制对象物的上面倾斜，能够与模制对象物无间隙地接触。

但是，在JP2007－320102A的技术中，由于在背面部件（31）与旋转部件（32）间存在允许旋转部件（32）倾斜的间隙，因此，存在树脂向该间隙泄漏的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种即使在模制对象物的两面之间有倾斜偏差的情况下，也能够防止树脂泄漏的技术。

本发明的模制装置具备：多个半导体元件；与所述多个半导体元件的一面侧结合的平板状的第一电极；与所述多个半导体元件的另一面侧结合的平板状的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间封止所述多个半导体元件的模制材料。在所述第一电极的周缘部设有朝向所述第二电极延伸的突起部，所述突起部包围所述模制材料。

下面，参照附图对本发明的实施方式、本发明的优点进行详细地说明。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体装置的概略纵剖面图；

图2是图1所示的半导体装置的Z－Z’线剖面图；

图3是第一实施方式的模制装置的模制成形前和模制成形后的各概略剖面图；

图4是表示第一实施方式的存在倾斜偏差的半导体装置的模制成形方法的工序图；

图5是第二实施方式的模制装置的模制成形前和模制成形后的各概略剖面图；

图6是表示第二实施方式的存在厚度偏差的半导体装置的模制成形方法的工序图；

图7是第三实施方式的半导体装置的概略纵剖面图；

图8是图7的Z－Z’线剖面图；

图9是第三实施方式的模制装置的模制成形前和模制成形后的各概略剖面图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。本实施方式是将本发明适用于包括功率元件的电路、利用树脂模制成形在其两面配置有电极的半导体装置而制造半导体装置（半导体模块）的模制装置的例子。

（第一实施方式）

图1是模制对象物即半导体装置1（半导体模块）的概略纵剖面图，图2是图1所示的半导体装置1的Z－Z’线剖面图。另外，在图1中，下方表示用点划线包围的YY部的放大图。

如图1所示，在半导体装置1中，在晶体管及PTO等、双面冷却结构的功率元件4、5的上下两面配置有各电极2、3。换言之，成为在两个电极2、3之间夹持功率元件4、5的结构。

在功率元件4、5上，在垂直向上方设有例如正极端子，在垂直向下方设有负极端子。功率元件4、5的正极端子与位于垂直上方的电极（下面称为“上方电极”。）2用焊锡6、8连接。另外，功率元件4、5的负极端子与位于垂直下方的电极（以下称为“下方电极”。）3用焊锡7、9连接。

在图1中，在半导体装置1中，相对于上方电极2处于水平位置，下方电极3的左侧方向垂直上方立起。换言之，上方电极2的垂直上面2a右端和下方电极3的垂直下面3a右端的上下方向厚度，比上方电极2的垂直上面2a左端和下方电极3的垂直下面3a左端的上下方向厚度大。即，在半导体装置1的上下两面产生倾斜偏差。

为了对功率元件4、5进行冷却，如图2所示，两个电极2、3形成为具有规定的面积的四角平板状。从上下使冷却装置与这两个电极2、3接触，由此，能够经由电极2、3对半导体装置1整体进行冷却。

上下两个电极2、3的间隙（上下方向宽度）为数百μm的狭小的间距，有可能在功率元件4、5的侧面或上下电极2、3间引起放电，因此，需要在上下两个电极2、3的间隙（空间）介有绝缘物。另外，在半导体装置1中，夹持在两个电极2、3间的多个功率元件4、5的上下方向的厚度不同。因此，具有如下特征，即，除了因上下两个电极2、3的平行度较差引起的倾斜偏差之外，还会产生包括上下两个电极2、3的半导体装置1整体的上下方向的厚度偏差。