[发明专利]无铅半导体密封用玻璃在审
| 申请号: | 201180032805.9 | 申请日: | 2011-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN102958860A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
| 发明(设计)人: | 桥本幸市 | 申请(专利权)人: | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号: | C03C3/068 | 分类号: | C03C3/068;C03C3/095;H01L23/29;H01L23/31;H01L33/52 |
| 代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 陈波;朱弋 |
| 地址: | 日本滋贺*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 密封 玻璃 | ||
1.一种无铅半导体密封用玻璃,其特征在于,所述无铅半导体密封用玻璃的粘度为106dPa·s时的温度在670℃以下,作为玻璃组成,CeO2的含量为0.01~6质量%,且Sb2O3的含量在0.1质量%以下。
2.根据权利要求1所述的无铅半导体密封用玻璃,其特征在于,包括SiO2-B2O3-R2O类玻璃,并含有Li2O、Na2O和K2O中的2种以上作为R2O,其中,R为碱金属。
3.根据权利要求1或2所述的无铅半导体密封用玻璃,其特征在于,作为玻璃组成,以质量%计含有SiO2 20~65%、Al2O3 0~10%、B2O3 10~40%、MgO 0~10%、CaO 0~10%、SrO 0~10%、BaO 0~10%、ZnO 0~35%、Li2O 0.2~10%、Na2O 0.5~17%、K2O 0~16%、TiO20~10%、ZrO2 0~5%、Bi2O3 0~25%、La2O3 0~10%。
4.根据权利要求1~3任一项所述的无铅半导体密封用玻璃,其特征在于,BaO的含量为低于1质量%。
5.一种半导体密封用外套管,其特征在于,由权利要求1~4任一项所述的玻璃制成。
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