[发明专利]无铅半导体密封用玻璃在审

专利信息
申请号: 201180032805.9 申请日: 2011-06-17
公开(公告)号: CN102958860A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 桥本幸市 申请(专利权)人: 日本电气硝子株式会社
主分类号: C03C3/068 分类号: C03C3/068;C03C3/095;H01L23/29;H01L23/31;H01L33/52
代理公司: 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 代理人: 陈波;朱弋
地址: 日本滋贺*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 密封 玻璃
【权利要求书】:

1.一种无铅半导体密封用玻璃,其特征在于,所述无铅半导体密封用玻璃的粘度为106dPa·s时的温度在670℃以下,作为玻璃组成,CeO2的含量为0.01~6质量%,且Sb2O3的含量在0.1质量%以下。

2.根据权利要求1所述的无铅半导体密封用玻璃,其特征在于,包括SiO2-B2O3-R2O类玻璃,并含有Li2O、Na2O和K2O中的2种以上作为R2O,其中,R为碱金属。

3.根据权利要求1或2所述的无铅半导体密封用玻璃,其特征在于,作为玻璃组成,以质量%计含有SiO2 20~65%、Al2O3 0~10%、B2O3 10~40%、MgO 0~10%、CaO 0~10%、SrO 0~10%、BaO 0~10%、ZnO 0~35%、Li2O 0.2~10%、Na2O 0.5~17%、K2O 0~16%、TiO20~10%、ZrO2 0~5%、Bi2O3 0~25%、La2O3 0~10%。

4.根据权利要求1~3任一项所述的无铅半导体密封用玻璃,其特征在于,BaO的含量为低于1质量%。

5.一种半导体密封用外套管,其特征在于,由权利要求1~4任一项所述的玻璃制成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气硝子株式会社,未经日本电气硝子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180032805.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top