[发明专利]通过注入和照射制备衬底的方法

权利要求书

1.一种制备衬底(1)的方法，所述方法的目的是通过用光通量(F)照射衬底而使称为脱离层的层从所述衬底上脱离，所述照射用来加热所述衬底的隐埋区域并使所述区域中的材料分解，从而使所述脱离层脱离，所述方法的特征在于包括以下步骤：

a)制造中间衬底，所述中间衬底包括称为隐埋层的第一层(2)和称为覆盖层的第二层(4)，所述第二层(4)覆盖所述第一层(2)的全部或一部分，

-所述覆盖层(4)对所述光通量(F)基本透明，

-通过在所述衬底中注入粒子而形成的所述隐埋层(2)则能够吸收所述通量(F)，

b)对所述隐埋层(2)的被称为处理区域的区域进行选择性的绝热照射，直至构成所述隐埋层(2)的材料因此发生至少部分分解。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入的所述粒子是轻离子。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粒子是包括在H⁺和He⁺的组中中的离子。

4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，注入剂量为10¹⁴～2·10¹⁶个原子·cm^-2。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述注入在形成所述覆盖层的步骤之后实施。

6.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述注入在形成所述覆盖层的步骤之前实施。

7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，按以下方式选择光通量(F)对所述区域的照射时间：使与所述时间对应的热扩散长度小于所述层的厚度或与所述层的厚度的数量级相同。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤a)和步骤b)之间，或在步骤b)之后，将所述衬底(1)与另一部分(5)粘合。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述另一部分(5)对所述光通量(F)的波长基本透明，并且穿过所述另一部分(5)来施加所述光通量。

10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料是III-V族的材料。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述材料的组成是Al_xGa_yIn_1-x-yN型，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。

12.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，所述材料是压电材料，例如铌酸锂、钛锆酸铅、合金、玻璃、固溶体，特别是不处于热力学平衡中的材料。

13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底(1)是由用于电子、光学或光电子工业的复合半导体材料制成的衬底，并且，在步骤b)之后，对所述隐埋层(2)施加热和/或机械负荷，从而使位于所述衬底(1)的表面和所述隐埋层(2)之间的层(4)脱离。

14.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，步骤a)包括：以吸收系数大于所述层(4)的材料的吸收系数的材料形成不连续晶体层。

15.如前述权利要求所述的方法，其特征在于，将所述粒子注入到所述不连续晶体层中。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述不连续晶体层由InGaN或AlGaN制成，并且透明的层由GaN制成。