[发明专利]防护膜有效
| 申请号： | 201180030269.9 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102959468A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 河关孝志 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/48 | 分类号： | G03F1/48;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防护 | ||
【权利要求书】：
1.一种防护膜，是含有非晶质氟聚合物的光刻用防护膜，其含有5～800质量ppm的氟系溶剂。
2.如权利要求1所述的防护膜，其中，所述非晶质氟聚合物为主链具有环状结构的全氟脂环式聚合物。
3.如权利要求1所述的防护膜，其中，所述氟系溶剂可溶解所述非晶质聚合物。
4.如权利要求3所述的防护膜，其中，所述氟系溶剂为全氟烷基胺。
5.如权利要求1所述的防护膜，其中，所述光刻用防护膜的光刻曝光光的波长为200nm以下。
6.一种防护膜组件，其包含：权利要求1所述的防护膜；以及粘贴了所述防护膜的防护膜框架。
7.一种防护膜的制造方法，其包括：
使包含非晶质氟聚合物与氟系溶剂的溶液形成涂布膜的工序A；以及
除去所述涂布膜中的氟系溶剂的工序B，
在所述工序B中，使所述涂布膜中残留5～800质量ppm的氟系溶剂。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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