[发明专利]紫外半导体发光元件

权利要求书

1.一种紫外半导体发光元件，其特征在于：在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层，而且具有与所述n型氮化物半导体层接触的n电极和与所述p型氮化物半导体层接触的p电极，在所述p型氮化物半导体层中的与所述发光层相反侧的表面上，避开所述p电极的形成区域地形成有凹部，在所述凹部的内底面形成有反射从所述发光层放射的紫外光的反射膜。

2.根据权利要求1所述的紫外半导体发光元件，其特征在于：所述p型氮化物半导体层形成有多个所述凹部。

3.根据权利要求1或2所述的紫外半导体发光元件，其特征在于：所述p型氮化物半导体层至少具备带隙比所述发光层小、且与所述p电极的接触为欧姆接触的p型接触层。

4.根据权利要求3所述的紫外半导体发光元件，其特征在于：所述p型氮化物半导体层从所述p电极侧依次具有所述p型接触层、带隙比所述p型接触层大的p型包覆层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的紫外半导体发光元件，其特征在于：所述反射膜被延伸设置到所述p电极上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的紫外半导体发光元件，其特征在于：

所述p型氮化物半导体层（5）具有与所述发光层（4）对置的表面；

从所述p型氮化物半导体层（5）中的与所述发光层（4）对置的表面到所述凹部（8）的内底面为止的距离为10nm以下。