[发明专利]平衡式裸片上终结无效
| 申请号: | 201180018330.8 | 申请日: | 2011-06-01 |
| 公开(公告)号: | CN102859598A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
| 发明(设计)人: | J·威尔森;J-H·金;R·科利帕拉;D·塞克尔;K·S·吴 | 申请(专利权)人: | 拉姆伯斯公司 |
| 主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;张宁 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平衡 式裸片上 终结 | ||
技术领域
本发明主要地涉及电子通信领域,并且更具体地涉及在集成电路器件之间的信令。
背景技术
裸片上终结(on-die termination)(ODT)普遍用来在现代集成电路(IC)存储器器件中终结高速数据链路。遗憾的是,信令电流在到达裸片上终结之前流过IC封装体电感(即,由IC封装体内的传导结构(比如过孔、接线键合等)形成),因此往往产生向功率轨并且因此向邻近信号信令链路传送的依赖于数据的切换噪声,从而降低系统内的净信噪比(SNR)。
附图说明
在附图的各图中通过例子而非通过限制来说明本发明,并且在附图中,相似标号指代相似单元,而且在附图中:
图1对比旧式单器件终结模式与示例平衡式多器件终结模式;
图2A-图2E图示了用于存储器系统内的平衡式裸片上终结的示例方式,该存储器系统具有用于插入可移除存储器模块的一个或者多个槽(或者连接器);
图3A-图3D图示了用于存储器系统内的平衡式终结的示例方式,该存储器系统具有由多列存储器模块填充的单独存储器模块槽;
图4A图示了多列存储器模块的一个实施例,该模块无论模块是否包含正在写入的存储器器件列(rank)都能够在存储器写入操作期间应用平衡式裸片上终结;
图4B图示了可以在图4A的双列存储器模块内启用的裸片上终结的示例集合;
图4C图示了存储器控制器为了建立图4B中所示模块平衡式终结配置而可以执行的示例系统初始化操作;
图4D图示了图4A中所示存储器控制器可以在插入的存储器模块的存储器器件内初始化终结设置之后执行的示例写入操作;
图4E图示了根据图4A-图4D的存储器系统内的写入操作序列;并且
图5图示了可以用来实施参照图2A和图4A描述的裸片上终结电路的终结/驱动器电路的一个实施例。
具体实施方式
在这里公开的各种实施例中,通过在多个集成电路存储器器件(这些存储器器件设置于相同存储器模块(或者其它衬底上和/或设置于相同集成电路封装体内)并且耦合到高速信令链路)内同时接合裸片上终结结构来启用高速信令链路的终结。通过在多个相同模块的存储器器件内同时启用裸片上终结,大量减少依赖于数据的切换噪声,因为信令电流在多个存储器器件之间或者中间拆分并且因此流过大量减少的净封装体电感。减少的切换噪声提高系统功率完整性(即减少经由功率轨的噪声传送)并且因此减少裕度下降的串扰和时序抖动从而产生可以允许更快信令速率和宽松化系统设计的提高总信令裕度。
图1对比旧式单器件终结模式与示例平衡式多器件终结模式。在100处大体上示出的单器件终结模式中,在给定存储器模块或者其它衬底的存储器器件101内接合(即通过响应于终结控制信号TC操作切换元件107a、107b)裸片上终结元件105a、105b,由此将净裸片上终结负载Rterm耦合到在存储器控制器103与存储器器件101之间延伸的信令链路104。因而信令电流‘isig’在流过上拉和下拉终结元件105a、105b(描绘为2Rterm,但是从小信号或者AC观点来看在效果上并联设置并且因此等效于Rterm;即乘积2Rterm*2Rterm除以求和2Rterm+2Rterm)之前流过封装体电感Lpkg(例如可能由于封装体到存储器模块的互连以及包括迹线、过孔、裸片互连等的封装体内布线结构而产生的寄生电感)以在接收器109的输入处形成可检测信号电压。
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