[发明专利]连续的图案化层沉积有效
| 申请号: | 201180014351.2 | 申请日: | 2011-02-17 |
| 公开(公告)号: | CN102803553A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
| 发明(设计)人: | 阿里尔·德格拉夫;欧文·约翰·凡·斯维特;保卢斯·威尔布罗杜萨·乔治·普迪;阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO |
| 主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/54;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;孟桂超 |
| 地址: | 荷兰代*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 连续 图案 沉积 | ||
1.一种制造具有沉积材料的图案化层的基板的方法,所述图案化层从加工头沉积,所述方法包括:
从所述加工头施加轴承气体以保持所述加工头通过气体轴承悬浮在所述基板上方;
使所述基板和悬浮的所述加工头相对于彼此移动;
涂敷打底材料,用于沉积材料至所述基板的选择性沉积,所述打底材料从所述加工头的面向所述基板的表面的第一区域涂敷,且在涂敷所述打底材料后或涂敷所述打底材料的过程中在所述基板上使所述打底材料立体地形成图案;
从所述加工头的面向所述基板的表面的第二区域涂敷所述沉积材料至所述基板,所述第二区域位于所述第一区域在所述基板相对于所述加工头的移动方向上的下游。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述打底材料和所述沉积材料的沉积过程中,所述基板和悬浮的所述加工头相对于彼此以恒定速度连续移动。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述打底材料是在光的影响下从所述基板分离的材料,所述方法包括:从所述加工头的面向所述基板的表面的第三区域,从所述加工头向所述基板施加图案化的光,所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中使用多步骤的原子层沉积(ALD)工艺涂敷所述图案化层,其中至少一种另外的沉积材料被选择性沉积在所述沉积材料上,所述方法包括:
从所述加工头的面向所述基板的表面的另外的区域涂敷所述沉积材料至所述基板,所述另外的区域位于所述第二区域在所述基板相对于所述加工头的所述移动方向上的下游。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,包括:从位于所述加工头的面向所述基板的表面的位置处的开口进行抽吸,所述位置沿所述第二区域的边缘定位。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,包括:
在所述加工头的面向所述基板的表面中的凹槽中产生等离子体,所述凹槽位于所述第二区域在所述基板相对于所述加工头的所述移动方向上的下游;
在所述凹槽中使用所述等离子体以从所述基板蚀刻曝光的所述打底材料。
7.一种用于制造具有沉积材料的图案化层的基板的装置,所述装置包括:
加工头,具有气体轴承表面;
传送机械装置,设置用于使基板和所述加工头相对于彼此传送,同时所述气体轴承表面面向所述基板;
所述气体轴承表面包括:
第一区域,具有联结至第一气体源的凹槽或一组开口,用于将打底材料涂敷至所述基板;
第二区域,具有联结至第二气体源的凹槽或一组开口,用于将沉积材料涂敷至所述基板;
气体轴承开口,围绕所述第一区域和所述第二区域;
所述加工头包括绘图机,所述绘图机被配置用于在涂敷所述打底材料之后或在涂敷所述打底材料的过程中,以及在涂敷所述沉积材料之前,使所述打底材料在所述基板上立体地形成图案。
8.根据权利要求7所述的装置,包括被配置用于产生图案化的光的光源,所述图案化的光从所述加工头的面向所述基板的表面的第三区域输出;所述第三区域位于所述第一区域和所述第二区域之间。
9.根据前述装置权利要求中的任一项所述的装置,在所述加工头的面向所述基板的表面的另外的区域内,所述装置包括联结至第三气体源的另外的凹槽或另外的开口,所述另外的区域位于所述第二区域在所述基板相对于所述加工头的所述移动方向上的下游。
10.根据前述装置权利要求中的任一项所述的装置,包括抽吸开口,所述抽吸开口位于所述加工头的表面中沿所述第二区域的边缘定位的位置。
11.根据前述装置权利要求中的任一项所述的装置,包括等离子体源,所述等离子体源定位于或联结至所述加工头的面向所述基板的表面中的凹槽,所述凹槽位于所述第二区域在所述基板相对于所述加工头的所述移动方向上的下游。
12.根据前述装置权利要求中的任一项所述的装置,其中所述传送机械装置包括第一辊和第二辊,分别用于辊装和辊卸所述基板;所述加工头沿从所述第一辊至所述第二辊的基板传送途径定位。
13.根据前述装置权利要求中的任一项所述的装置,其中所述加工头在所述第一区域和所述第二区域处的表面中具有第一凹槽和第二凹槽,所述第一气体源和所述第二气体源分别联结至所述第一凹槽和所述第二凹槽。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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