[发明专利]膜表面处理装置有效

专利信息
申请号: 201180012728.0 申请日: 2011-02-28
公开(公告)号: CN102791777A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 中野良宪;野上光秀;川崎真一;佐藤崇;松崎纯一 申请(专利权)人: 积水化学工业株式会社
主分类号: C08J7/00 分类号: C08J7/00;G02B1/12;G02B5/30;H05H1/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 表面 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种膜表面处理装置,使聚合性单体与连续的被处理膜接触,并使所述被处理膜通过与压力接近大气压的放电空间而进行表面处理,所述膜表面处理装置的特征在于,具备:

第一辊电极,其供所述被处理膜卷挂且绕自身的轴线旋转而输送所述被处理膜;

第二辊电极,其与所述第一辊电极平行配置并在与所述第一辊电极之间形成所述放电空间,所述被处理膜的比所述第一辊电极靠输送方向的下游侧的部分在通过所述放电空间后折返而卷挂在该第二辊电极上,且该第二辊电极绕自身的轴线向与所述第一辊电极相同的方向旋转而输送所述被处理膜;

反应气体喷嘴,其吹出含有所述聚合性单体的反应气体,并且配置成沿着所述第一辊电极的周向从所述放电空间向所述第一辊电极的旋转方向的上游侧离开,且与所述第一辊电极的卷绕有所述被处理膜的部分对置;

放电生成气体喷嘴,其配置在所述第一辊电极和第二辊电极彼此之间的所述被处理膜的折返部分的内侧,且向所述放电空间吹出不含有所述聚合性单体的放电生成气体。

2.根据权利要求1所述的膜表面处理装置,其特征在于,

还具备从所述反应气体喷嘴朝向所述放电空间以覆盖所述第一辊电极的周面的方式延伸的遮蔽构件,在所述第一辊电极的周面与所述遮蔽构件之间形成有与所述放电空间相连的遮蔽空间。

3.根据权利要求1或2所述的膜表面处理装置,其特征在于,

所述反应气体喷嘴配置成沿着所述第一辊电极的周向从所述放电空间向所述旋转方向的上游侧离开约4分之1周。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的膜表面处理装置,其特征在于,

还具备以隔着所述放电空间与所述放电生成气体喷嘴对置的方式配置的闭塞构件,所述遮蔽空间经由在所述第一辊电极的周面与所述闭塞构件之间形成的第一间隙与所述放电空间相连,且在所述闭塞构件与所述第二辊电极的周面之间形成有第二间隙。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的膜表面处理装置,其特征在于,

所述放电生成气体比所述反应气体温度低。

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