[发明专利]基板的清洗方法和半导体制造装置

权利要求书

1.一种基板的清洗方法，用于在保持为真空状态的处理容器内，对在基板上的膜上形成有规定图案的基板进行清洗，其特征在于，包括：

前工序，利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的基板上的膜进行清洗；和

连续工序，在前工序后连续执行氧化工序和还原工序，其中，所述氧化工序是利用氧化性气体使所述图案表面的残渣氧化的工序，所述还原工序中是利用还原性气体使所述被氧化的残渣还原的工序，

所述前工序和所述连续工序中所使用的气体，通过从内部压力P_S保持为比所述处理容器的内部压力P₀高的气体喷嘴放出至所述处理容器内而团簇化。

2.如权利要求1所述的基板的清洗方法，其特征在于：

所述清洁气体是NH₄OH、H₂O₂、HCL、H₂SO₄、HF、NH₄F中的至少任一种或者它们的组合。

3.如权利要求1所述的基板的清洗方法，其特征在于：

所述气体喷嘴与所述基板之间的距离d设定为比由式1定义的从所述气体喷嘴的出口到发生冲击波的位置的距离Xm长，

所述各工序中所使用的气体，在所述气体喷嘴与所述基板之间发生团簇化，利用所述发生的冲击波与基板碰撞，

XmD0=0.67×(P0PS)1/2]]>…(式1)

其中，D₀是气体喷嘴的出口的内径，P_s是气体喷嘴的内部压力，P₀是处理容器的内部压力。

4.如权利要求1所述的基板的清洗方法，其特征在于：

所述气体喷嘴的内部压力P_S在0.4MPa以上，

所述处理容器的内部压力P₀在1.5Pa以下。

5.如权利要求1所述的基板的清洗方法，其特征在于：

所述气体喷嘴的内部压力P_S在0.9MPa以下。

6.如权利要求1所述的基板的清洗方法，其特征在于：

所述基板的清洗方法用于在基板上形成配线时的图案的清洗、或者曝光后的抗蚀剂的清洗。

7.一种半导体制造装置，用于在保持为真空状态的处理容器内对形成有规定图案的基板上的膜进行清洗，其特征在于：

所述半导体制造装置具备内部压力P_S保持为比所述处理容器的内部压力P₀高的气体喷嘴，

该半导体制造装置执行多个工序，该多个工序包括前工序、以及在前工序后连续执行氧化工序和还原工序的工序，

所述前工序，是通过将所希望的清洁气体从所述气体喷嘴向所述处理容器内放出，使该清洁气体团簇化，利用被团簇化的清洁气体对基板上的膜进行清洗的工序，

所述氧化工序是通过将所希望的氧化性气体从所述气体喷嘴向所述处理容器内放出，使该氧化性气体团簇化，利用被团簇化的氧化性气体使所述图案表面的残渣氧化的工序，所述还原工序是利用还原性气体使所述被氧化的残渣还原的工序。

8.一种半导体制造装置，用于在保持为真空状态的处理容器内对形成有规定图案的基板上的膜进行清洗，其特征在于：

所述半导体制造装置具备内部压力P_S保持为比所述处理容器的内部压力P₀高的气体喷嘴，

该半导体制造装置执行包括前工序、氧化工序和还原工序的多个工序：

所述前工序是通过将包括NH₄OH、H₂O₂、HCL、H₂SO₄、HF、NH₄F中的至少任一种或它们的组合的清洁气体从所述气体喷嘴向所述处理容器内放出，使该清洁气体团簇化，利用被团簇化的清洁气体对基板上的膜进行清洗的工序，

所述氧化工序是在前工序后通过将所希望的氧化性气体从所述气体喷嘴向所述处理容器内放出，使该氧化性气体团簇化，利用被团簇化的氧化性气体使所述图案表面的残渣氧化的工序，

所述还原工序是利用还原性气体使所述被氧化的残渣还原的工序。