[发明专利]低熔点玻璃组合物及使用其的导电性糊剂材料有效
| 申请号： | 201180009596.6 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102762509A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 滨田润 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C8/04 | 分类号： | C03C8/04;C03C8/18;H01L31/04;H01B1/22 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 熔点 玻璃 组合 使用 导电性 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiO2-B2O3-ZnO-RO-R2O系无铅低熔点玻璃，其为在使用硅半导体基板的太阳能电池中使用的导电性糊剂中所含的低熔点玻璃，其特征在于，该玻璃的组成实质上不含铅成分，且以质量%计，含有：
1~15的SiO2，
18~30的B2O3，
0~10的Al2O3，
25~43的ZnO，
8~30的RO，以及，
6~17的R2O，
其中RO是指选自MgO、CaO、SrO、BaO中的1种以上的总和，R2O是指选自Li2O、Na2O、K2O中的1种以上的总和。
2.根据权利要求1所述的无铅低熔点玻璃，其特征在于，其在30℃~300℃下的热膨胀系数为80×10-7/℃~130×10-7/℃、软化点为400℃以上且550℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的无铅低熔点玻璃，其特征在于，其含有以质量%计为2~14的SiO2、19~27的B2O3、28~42的ZnO、10~27的RO、8~15的R2O。
4.一种导电性糊剂，其特征在于，其含有权利要求1或权利要求2的无铅低熔点玻璃。
5.一种太阳能电池元件，其特征在于，其含有权利要求1或权利要求2的无铅低熔点玻璃。
6.一种电子材料用基板，其特征在于，其含有权利要求1或权利要求2的无铅低熔点玻璃。
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