[发明专利]铝结构体的制造方法和铝结构体

权利要求书

1.一种用于制造铝结构体的方法，包括：

在树脂成形体的表面上形成导电层的导电处理，所述导电层由选自由金、银、铂、铑、钌、钯、镍、铜、钴、铁和铝组成的组中的一种或多种金属制成；以及

在熔融盐浴中将铝镀覆于已经进行了所述导电处理的所述树脂成形体上的镀覆工序。

2.根据权利要求1所述的用于制造铝结构体的方法，其中所述树脂成形体是具有三维网状结构的多孔树脂制品。

3.根据权利要求1或2所述的用于制造铝结构体的方法，其中所述导电处理是通过气相法使选自由金、银、铂、铑、钌、钯和铝组成的组中的一种或多种金属沉积在所述树脂成形体表面上的工序。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于制造铝结构体的方法，其中所述导电处理是通过无电镀使选自由金、银、铂、铑、钌、钯、镍、铜、钴和铁组成的组中的一种或多种金属沉积在所述树脂成形体表面上的工序。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制造铝结构体的方法，其中所述导电处理是将所述树脂成形体浸渍在含有选自由金、银、铂、铑、钌、钯和铝组成的组中的一种或多种金属的涂料中，以使得选自由金、银、铂、铑、钌、钯和铝组成的组中的一种或多种金属沉积在所述树脂成形体表面上的工序。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的用于制造铝结构体的方法，其中所述树脂成形体由聚氨酯或蜜胺制成。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于制造铝结构体的方法，还包括在所述镀覆工序之后除去所述树脂成形体的工序。

8.根据权利要求1所述的用于制造铝结构体的方法，还包括在所述镀覆工序之后溶解所述导电层的溶解工序。

9.根据权利要求8所述的用于制造铝结构体的方法，还包括在进行所述溶解工序的同时或之前除去所述树脂成形体的工序。

10.根据权利要求1所述的用于制造铝结构体的方法，还包括在所述镀覆工序之后，在所述导电层的表面上对锌或锌合金镀覆进行转化处理方法以形成锌膜的工序。

11.根据权利要求10所述的用于制造铝结构体的方法，其中所述的对锌或锌合金镀覆进行转化处理方法以形成锌膜的工序是这样进行的：将具有所述导电层的所述树脂成形体浸渍在温度大于或等于4℃且小于或等于15℃的用于对锌或锌合金镀覆进行转化处理方法的液体中。

12.根据权利要求1所述的用于制造铝结构体的方法，还包括在所述导电处理之后，使选自由金、银、铂、铑、钌和钯组成的组中的一种或多种贵金属沉积在所述导电层的表面上的工序。

13.一种铝结构体，其是由根据权利要求1至12中任一项所述的方法制造的。

14.一种铝结构体，包括厚度为1μm至100μm的铝层作为金属层，其中该金属层中的铝纯度为大于或等于90.0%并总计含有大于或等于0.01%且小于或等于10%的金、银、铂、铑、钌和钯，并且余量为不可避免的杂质。

15.一种铝结构体，包括厚度为1μm至100μm的铝层作为金属层，其中该金属层中的铝纯度为大于或等于80%并总计含有大于或等于2%且小于或等于20%的镍、铜、钴和铁，并且余量为不可避免的杂质。

16.一种铝结构体，包括厚度为1μm至100μm的铝层作为金属层，其中该金属层中的铝纯度为大于或等于98.0%并总计含有大于或等于0.0001质量%且小于2质量%的镍、铜、铁和钴，并且余量为不可避免的杂质。

17.一种铝结构体，包括厚度为1μm至100μm的铝层作为金属层，其中该金属层中的铝纯度为大于或等于98.0%、锌含量为大于或等于0.0001%且小于或等于2%，并且余量为不可避免的杂质。

18.一种铝结构体，其包括在一个表面上的厚度为1μm至100μm的第一铝层、在另一个表面上的厚度为0.05μm至1μm的第二铝层、以及在这两个铝层之间的贵金属层作为金属层。

19.根据权利要求13所述的铝结构体，其中所述金属层中的铝纯度为大于或等于99.0质量%并总计含有大于或等于0.001质量%且小于或等于1.0质量%的金、银、铂、铑、钌和钯，并且余量为不可避免的杂质。