[发明专利]半导体器件有效
| 申请号: | 201180004802.4 | 申请日: | 2011-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN102640419A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
| 发明(设计)人: | 西尾实;大江崇智 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
| 主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08;H02M1/08;H02M7/48;H03K17/687 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种具有断路电路的半导体器件,所述断路电路检测开关元件的异常状况并输出使得所述开关元件断路的信号,所述半导体器件的特征在于:
所述断路电路具有电阻器电路,所述电阻器电路确定使所述开关元件断路的信号的转换特性,
所述电阻器电路具有一个或多个电路元件,以及
使所述开关元件断路的信号的所述转换特性可通过改变所述一个或多个电路元件的连接来改变。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,为了使得所述开关元件柔性地断路,可选择平缓下降的信号。
3.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述断路电路具有第一n-沟道型MOSFET且所述电阻器电路串联地连接至所述第一n-沟道型MOSFET。
4.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述电阻器电路由非线性元件和线性元件构成,且所述非线性元件和线性元件中的一个或两个是可选择的。
5.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,所述非线性元件是其栅极和漏极相连接的第二n-沟道型MOSFET、或者是一个或多个串联连接的p-n二极管,且所述线性元件是电阻器或短路布线。
6.如权利要求4或5所述的半导体器件,其特征在于,设置了多个非线性元件,且所述非线性元件中的任一个是可选择的。
7.如权利要求1或4所述的半导体器件,其特征在于,构成所述电阻器电路的电路元件的连接的变更使用开关导体来进行。
8.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于,所述开关导体是图案化于半导体衬底上的铝、金、铜的接合线、或铝布线或多晶硅布线。
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