[实用新型]一种MOSFET驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电源管理电路中的MOSFET驱动电路，尤其涉及一种使用栅源电压钳位技术的MOSFET驱动电路。

背景技术

电源管理电路的应用非常广泛，绝大多数电源管理电路都需要内置或者外置MOSFET，无任是N沟道MOSFET还是P沟道MOSFET，都需要相应的驱动能力逐级增加的驱动电路。

图1A所示为传统的MOSFET驱动电路；所述开关模块(11)为N沟道MOSFET或者P沟道MOSFET或者N沟道和P沟道MOSFET的组合，开关模块的输入端连接驱动模块(12)的输出端；所述驱动模块(12)的输入端连接电平转换模块(13)的输出端，所述驱动模块的输出端连接开关模块；所述电平转换模块(13)的输入端作为控制信号，输出端连接驱动模块；电平转换模块将低压控制信号转换成高压控制信号，再通过驱动模块控制开关模块的开关动作；所述开关模块(11)为N沟道MOSFET或者P沟道MOSFET或者N沟道和P沟道MOSFET的组合，开关模块的输入端连接驱动模块(12)的输出端。

图1A所示MOSFET驱动电路在P沟道MOSFET驱动中的具体应用如图1B所示，所述驱动模块(12)由第二MOS管M2、第三MOS管M3、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12组成，第三MOS管M3的栅极和第十二MOS管M12的栅极相连，并连接所述电平转换模块(13)的输出端，第二MOS管M2、第十一MOS管M11的漏极作为驱动模块的输出端连接开关模块第一MOS管M1的栅极；所述电平转换模块(13)由第四MOS管M4、第五MOS管M5、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14组成，第十四MOS管M14的栅极作为电平转换模块的输入为第一控制信号Pctrl端，第十三MOS管M13的栅极作为电平转换模块的输入为第二控制信号Nctrl端，第一控制信号Pctrl和第二控制信号Nctrl为互补的输入控制信号，第四MOS管M4、第十三MOS管M13的漏极和第五MOS管M5的栅极相连并连接驱动模块(22)的输入端；所述开关模块(11)为P沟道MOSFET第一MOS管M1，第一MOS管M1的源极作为驱动电路的输入信号VIN端口，第一MOS管M1的漏极作为输出信号VOUT端口，第一MOS管M1的栅极连接驱动模块(12)的输出端。

上述传统的MOSFET驱动电路，其输入信号VIN端口的工作电压VIN受到驱动电路中所有驱动管的栅源耐压的限制，以图1B所示的P沟道MOSFET驱动电路为例，第一控制信号Pctrl和第二控制信号Nctrl为互补的输入控制信号，该驱动电路有两种工作状态：

第一种是第一控制信号Pctrl为高电平、第二控制信号Nctrl为低电平时：第十四MOS管M14、第四MOS管M4、第十二MOS管M12、第二MOS管M2导通，第十三MOS管M13、第五MOS管M5、第三MOS管M3、第十一MOS管M11、第一MOS管M1关断，假设管子导通时其漏源两端电压为0，则第十四MOS管M14、第四MOS管M4、第十二MOS管M12、第二MOS管M2，其栅、源两端之间的电压等于输入信号电压VIN，为了保证驱动电路正常工作，输入信号电压VIN不能大于第十四MOS管M14、第四MOS管M4、第十二MOS管M12、第二MOS管M2的栅源两端之间的可以承受的耐压；

第二种是第二控制信号Nctrl为高电平、第一控制信号Pctrl为低电平时：第十三MOS管M13、第五MOS管M5、第三MOS管M3、第十一MOS管M11、第一MOS管M1导通，第十四MOS管M14、第四MOS管M4、第十二MOS管M12、第二MOS管M2关断，假设管子导通时其漏源两端电压为0，则第十三MOS管M13、第五MOS管M5、第三MOS管M3、第十一MOS管M11、第一MOS管M1，其栅、源两端之间的电压等于输入信号电压VIN，为了保证驱动电路正常工作，输入信号电压VIN不能大于第十三MOS管M13、第五MOS管M5、第三MOS管M3、第十一MOS管M11、第一MOS管M1的栅源两端之间的可以承受的耐压；

因此，图1B所示的P沟道MOSFET驱动电路，其输入信号端口的工作电压VIN，必须小于驱动电路中所有管子的栅源耐压，因此输入信号电压VIN的最高工作电压范围受到驱动电路中管子的栅源耐压的限制。

发明内容

本实用新型要解决现有技术的不足，提供可以提高MOSFET驱动电路最高工作电压的一种MOSFET驱动电路。

一种MOSFET驱动电路，包括：