[实用新型]LED圆片级芯片尺寸封装结构有效

专利信息
申请号: 201120571332.7 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN202523750U 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 刘胜;陈照辉;周圣军;王恺 申请(专利权)人: 刘胜
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 李平
地址: 200120 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: led 圆片级 芯片 尺寸 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种LED圆片级芯片尺寸封装结构,包括:硅基片、LED圆片、键合层和LED外延层,绝缘层、反射层、焊盘、荧光粉层及透镜,其特征在于所述硅基片上设有通孔,硅基片的背面沉积有一层绝缘层,通孔内填充有金属实现垂直电互连,在硅基片正面设有焊盘及反射层,硅基片背面设有电极,LED外延层上设有n与p电极,在n与p电极上设有键合层,LED圆片与设有通孔的硅基片键合,LED圆片上涂覆有荧光粉层,在LED圆片上设有透镜阵列或硅胶保护层。

2.根据权利要求1所述的LED圆片级芯片尺寸封装结构,其特征在于所述硅基片为2inch或更大尺寸,厚度在100-500um。

3.根据权利要求1所述的LED圆片级芯片尺寸封装结构,其特征在于所述硅基片的通孔为垂直通孔,其形状为圆形或方形,通孔内填充金属,其直径为5um到100um,间距在5-500um,或者填充金属圆管或金属方管,其尺寸为5um到100um,间距在5-500um,或者在金属管中填充高分子材料。

4.根据权利要求1所述的LED圆片级芯片尺寸封装结构,其特征在于所述绝缘层上沉积有粘附层,阻挡层,种子层。

5.根据权利要求1所述的LED圆片级芯片尺寸封装结构,其特征在于所述LED外延层通过ICP刻蚀工艺,暴露出n型GaN;通过沉积工艺形成绝缘层将n型GaN与p型GaN分隔,n电极与p电极为两块式或分布式,经沉积工艺沉积电极内的欧姆接触层、焊盘。

6.根据权利要求1所述的LED圆片级芯片尺寸封装结构,其特征在于所述键合层选择设置在LED外延层或硅基片上。 

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