[实用新型]玻璃基板承载系统有效
| 申请号: | 201120564469.X | 申请日: | 2011-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN202473884U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
| 发明(设计)人: | 吴勃;侯东全;扈映茹;曾国波 | 申请(专利权)人: | 成都天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
| 地址: | 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 玻璃 承载 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示器件制造领域,尤其涉及一种用于玻璃基板生产的玻璃基板承载系统。
背景技术
目前,在显示器件生产领域,轻、薄、环保等因素已经成为显示领域的市场需求。因此,玻璃基板采用薄化产品(如:0.3T Glass)也就成为显示器生产行业的一种必然的趋势。
在现有技术中,采用0.3T玻璃基板生产TFT侧基板时,如图1所示,现有玻璃基板承载台中,4个升降器(Lifter Pin2)101分别位于基台100边缘,通过其手臂的支撑面承载0.3T玻璃基板102。由于0.3T玻璃基板比原来0.5T玻璃基板更薄,其本身形变量较0.5T玻璃基板要大得多,在4个升降器101的承载作用下,中间严重向下弯曲,如图2所示的模拟形变量结果,最大可达到18.486mm。因此,在显示器件生产过程中0.3T玻璃基板无法正常传片,0.3T玻璃基板的破片率甚至高达100%,且由于形变量的影响,采用0.3T玻璃基板生产TFT侧基板时,成膜的均一性也严重受到影响,下垂量大的地方膜层厚,下垂量小的地方膜层薄,影响等离子刻蚀(Plasma Etch)和灰化(Ash)等工艺的效果,使得产品不良率100%。
实用新型内容
本实用新型提出一种玻璃基板承载系统,能将0.3T玻璃基板的下垂量减少到可接受范围,使0.3T玻璃基板在玻璃基板承载系统内部能够正常的传片和成膜,并提高0.3T玻璃基板的成膜均一性。
为了达到上述目的,本实用新型提出一种玻璃基板承载系统,包括并承载玻璃基板的升降器,其特征在于,所述升降器包括位于水平面上的固定手臂以及连接所述固定手臂并在所述玻璃基板下方的竖直面内围绕所述固定手臂转动的转动手臂。
进一步的,所述固定手臂的底部设有安置槽,所述转动手臂在初始状态下折回并置于所述安置槽中。
进一步的,所述固定手臂连接一定子,所述转动手臂连接一转子。
进一步的,所述定子和转子连接一PLC控制器。
进一步的,所述转动手臂连接一步进电机。
进一步的,所述转动手臂的长度为60mm~140mm。
进一步的,所述升降器为多个,均匀分布在所述基台的周围。
进一步的,所述基台为矩形,所述升降器为四个,分别位于所述基台的四角。
进一步的,所述转动手臂和所述固定手臂上均设有吸附垫。
与现有技术相比,本实用新型的玻璃基板承载系统,通过原升降器的手臂基础上增加一转动手臂,使之能够从0.3T玻璃基板底部向上转动并延伸到0.3T玻璃基板下垂的部分,将0.3T玻璃基板的下垂量减少到可接受范围,使0.3T玻璃基板在玻璃基板承载系统内部能够正常的传片和成膜,并提高0.3T玻璃基板成膜均一性;进一步的,将转动手臂折叠放回固定手臂的安置槽中,节约了升降器占用空间;同时,利用PLC控制器控制转动手臂的旋转,有效地降低升降器和机器人手臂的干涉。
附图说明
图1所示为现有技术的玻璃基板承载系统的俯视图;
图2所示为现有技术的玻璃基板承载系统中0.3T玻璃基板下垂量模拟图;
图3所示为本实用新型具体实施例的玻璃基板承载系统的俯视图;
图4所示为本实用新型具体实施例的升降器的剖面结构示意图;
图5A和5B所示为本实用新型具体实施例的定子和转子与PLC电路连接图;
图6所示为本实用新型具体实施例的转动手臂的旋转逻辑流程图;
图7所示为本实用新型具体实施例的PLC控制转动手臂旋转的状态逻辑图;
图8A至图8C所示为在升降器各个状态下的玻璃基板承载系统的俯视图。
具体实施方式
为了更了解本实用新型的技术内容,特举具体实施例并配合所附图示说明如下。
如图3所示,本实用新型提出一种玻璃基板承载系统,包括一基台200和位于所述基台200周围并承载玻璃基板202的的升降器201,其中,所述升降器201为多个,均匀分布在所述基台200的周围,每个升降器201包括固定手臂201a和连接所述固定手臂201a并围绕所述固定手臂201a转动的转动手臂201b,玻璃基板202可以被多个固定手臂201a构成水平面(即支撑面)的或者多个固定手臂201a以及转动到合适位置的转动手臂201b构成的支撑面承载。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





