[实用新型]一种阵列基板、液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201120521257.3 申请日: 2011-12-14
公开(公告)号: CN202330950U 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 李佳育;陈世烽;王醉 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/139;G02F1/1362
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 邢涛;田夏
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 液晶 显示装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域,更具体的说,涉及一种阵列基板、液晶显示装置。

背景技术

现在被广泛使用的VA型液晶(Vertical Alignment Mode)在断电时液晶分子定向垂直于阵列基板排列并且轴向对称,背光源不能通过,当在电场作用时,其液晶分子会在电场平面内发生偏转,但是偏转方向保持一致,导致显示画面在不同角度观察时呈现对比度降低甚至灰阶翻转的现象。为了改善VA型液晶在大视角的显示效果,美国专利US6822715(B2)从像素电极设计角度提出了改善方案:如图1所示,在像素电极上制作若干“孔”状开口24a,并以一定几何形状排列,当上下板电极间施加电场时,液晶分子在这些“孔”状开口24a之间向特定的不同方向偏转,使得大视角显示效果提高。

该种方案的缺陷在于,“孔”状开口24a直接切断了电极,因此开口24a均不起电极的作用,当上下板施加电压时,上述开口24a的中心处电场作用几乎为零,因此液晶分子基本垂直于阵列基板,会出现如图2所示的黑点,降低亮度,影响显示品质。而且,“孔”状开口的尺寸对液晶显示效果影响明显,因此“孔”状开口的尺寸必须精确地控制在一个非常小的范围区间内,稍有偏差对其显示效果的影响都非常明显,加工的精准度要求非常高。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种可提高VA液晶大视角显示效果、且像素电极显示无黑点的阵列基板、液晶显示装置。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:

一种阵列基板,其包括绝缘层及密布有多个像素电极的电极层;其中,所述阵列基板存在有多个场变区域,所述场变区域的绝缘层的厚度与其他区域的绝缘层的厚度不一致,所述像素电极在场变区域与其他区域内都是可导通的。

优选的,所述阵列基板的绝缘层为设置在电极层底部的第一绝缘层,所述第一绝缘层存在有多个凹陷区域,相应的,所述电极层也在凹陷区域向内凹陷,所述凹陷区域即为所述场变区域。此为一种具体实施方式。

优选的,所述阵列基板包括有设置在电极层底部的第一绝缘层,其还包括覆盖在电极层上方的第二绝缘层,所述第二绝缘层存在有多个凹陷区域,所述凹陷区域即为所述场变区域。此为另一种具体实施方式。

优选的,所述阵列基板的绝缘层为设置在电极层底部的第一绝缘层,所述第一绝缘层存在有多个凸起区域,相应的,所述电极层也在凸起区域内向上凸起,所述凸起区域即为所述场变区域。此为又一种具体实施方式。

优选的,所述阵列基板包括有设置在电极层底部的第一绝缘层,其还包括覆盖在电极层上方的第二绝缘层,所述第二绝缘层存在有多个凸起区域,所述凸起区域即为所述场变区域。此为又一种具体实施方式。

一种液晶显示装置,所述液晶显示装置包括上述的阵列基板。

本实用新型由于采用了场变区域,在通电的时候,场变区域表面的像素电极与反电极之间的距离与其他区域的像素电极与反电极之间的距离不同,场变区域表面的电场强度跟所在电极表面的电场强度不一致,造成该区域附近的电力线倾斜,液晶分子会围绕该场变区域向特定的不同方向偏转,扩大了显示视角;而场变区域仍然存在电极作用,因此在该区域内仍然存在较强的电场作用,可以减少保持垂直状态的液晶分子数量,降低黑点的大小,从而提高亮度,提高了大视角显示效果。而且,相对于“孔”状开口来说,由于场变区域仍然存在电极作用,场变区域的范围大小可以更为灵活,而且可以根据具体的显示情况对场边区域的范围大小进行调整,可控程度更为好。

附图说明

图1是现有技术像素电极的示意图;

图2是现有技术像素电极在正交偏振状态下的偏振光显微镜下的效果图;

图3是本实用新型实施例一的结构示意图;

图4是本实用新型实施例二的结构示意图;

图5是本实用新型实施例三的结构示意图;

图6是本实用新型实施例四的结构示意图;

图7是本实用新型实施例一至四中像素电极的示意图;

图8是本实用新型实施例一~四中像素电极在正交偏振状态下的偏振光显微镜下的效果图。

其中:1、滤色基板;11、第二透明基板;12、彩色滤光板;13、反电极;14、第二配向膜;2、阵列基板;21、第一透明基板;22、第一绝缘层;23、像素电极;24、第一配向膜;25、第二绝缘层;3、液晶分子;4、场变区域;51~53、子像素区域;6、薄膜晶体管;61、栅极扫描线;62、数据扫描线。

具体实施方式

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