[实用新型]发光二极管封装构造

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管封装构造，特别是有关于一种使用阳极氧化物基板的发光二极管封装构造。

背景技术

随着生活品质提高及环保意识抬头，绿色资源的开发及使用越来越广泛，其中的一项重点项目即为各种发光二极管(light emitting diode，LED)于照明上的应用，由于发光二极管具有省电及长寿命等优势，因此与发光二极管相关的技术不断被研发及改良，以提升光取出效率(light extraction efficiency)、改善散热效率及延长使用寿命等。上述改良除了与发光二极管芯片本身的半导体材料有关之外，亦与发光二极管芯片的封装方式存在极大的相关性。

请参照图1、2及3所示，其揭示三种现有发光二极管芯片的封装构造。

如图1所示，其揭示一种现有发光二极管芯片的封装构造，其包含一基板11、一电路层12、一黏着层13、一LED芯片14、至少二导线15及一透光封装材料16。所述基板11是一小型电路板，其正面形成所述电路层12，所述LED芯片14利用所述黏着层13固定于所述基板11上。所述LED芯片14的光学表面(亦即发光表面)朝上并具有焊垫(未标示)，其利用所述导线15电性连接至所述电路层12。最后，利用所述透光封装材料16包覆保护所述LED芯片14及导线15等部位，即可完成封装制造过程。所述透光封装材料16中混掺有萤光粉。

如图2所示，其揭示另一种现有发光二极管芯片的封装构造，其包含一第一引脚21、一第二引脚22、一黏着层23、一LED芯片24、至少二导线25、一透光封装材料26及一萤光填充材料27。所述第一引脚21的顶面凹陷形成一杯状凹部211，使所述LED芯片24利用所述黏着层23固定于所述杯状凹部211内。所述杯状凹部211的其余空间则利用所述萤光填充材料27加以填满。所述LED芯片24的光学表面(亦即发光表面)朝上并具有焊垫(未标示)，其利用所述导线25电性连接至所述第一引脚21及第二引脚22。最后，利用所述透光封装材料26包覆保护所述LED芯片24、导线25及萤光填充材料27等部位，即可完成封装制造过程。

如图3所示，其揭示再一种现有发光二极管芯片的封装构造，其包含一硅基板31、二导电孔32、二凸块33(bump)、一LED芯片34、二电极35及一透光封装材料36。所述硅基板31先形成穿孔，再于穿孔内壁涂上一绝缘层311，接着再于所述绝缘层311内电镀或填入金属材料，以形成所述导电孔32，所述LED芯片34的光学表面(亦即发光表面)朝下并具有焊垫(未标示)，其形成所述电极35，并利用所述凸块33电性连接至所述导电孔32。最后，利用所述透光封装材料36包覆保护所述LED芯片34及凸块33等部位，即可完成封装制造过程。

图3所示的LED封装构造属于一种晶圆级封装构造(wafer lever package，WLP)，其尺寸相对明显小于图1或2的LED封装构造。同时，由于图3的倒装芯片式的LED芯片34没有设置导线，且所述LED芯片34产生的热能可通过所述电极35及凸块33传递至所述导电孔32及硅基板31，因而也具有相对较高的散热效率。

然而，图3的LED封装构造的技术问题在于：虽然所述硅基板31具有较佳的散热性，但因硅(Si)本身具有半导电特性，故为了制作所述导电孔32，通常必需先在所述硅基板31的穿孔内涂上所述绝缘层311。但是，所述硅基板31的材料成本十分昂贵，而且制作所述绝缘层311也会增加制造成本。同时，所述绝缘层311的制作工艺容易发生因所述绝缘层311堵住整个穿孔，而导致大幅降低后续形成所述导电孔32的良品率。另外，在实际使用时，也常发现若电压或电流过大，则相邻的导电孔32之间仍可能发生电性导通造成短路的风险，因而大幅影响了LED封装产品的可靠度。

故，仍有必要提供一种改良的发光二极管封装构造，以解决现有技术所存在的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种发光二极管封装构造，以解决现有晶圆级LED封装构造技术所存在的基板良率及可靠度问题。

本实用新型的主要目的在于提供一种发光二极管封装构造，其是在制造过程中先使用一金属板来形成阳极氧化物基板，再利用此阳极氧化物基板来形成背电极及导电孔，以做为LED芯片的电源供应端子，因此不但能利用阳极氧化物基板的材料特性来降低LED基板的材料成本，也能兼顾散热要求以及有效避免导电孔之间发生电性导通短路的问题，故确实有利于降低LED封装构造的制造成本，并提高其散热效率及产品可靠度。