[实用新型]一种除氟烘干装置有效

专利信息
申请号: 201120495110.1 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN202329039U 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 温世光 申请(专利权)人: 广东致远新材料有限公司
主分类号: F26B21/00 分类号: F26B21/00;F26B25/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 罗晓林;李志强
地址: 513055 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 烘干 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种烘干装置,特别是涉及一种除氟烘干装置。

背景技术

随着激光技术的迅速发展,钽铌在激光全息照相、光存储、微声表面波技术方面的应用,对钽酸锂晶体和铌酸锂晶体的质量提出了更高要求;相应对钽酸锂、铌酸锂晶体的生产原料氧化钽及氧化铌产品中杂质含量有严格要求,产品中F-离子由于在钽酸锂、铌酸锂晶体生长过程中会造成晶体微缺陷;降低产品中F-离子含量是提高氧化钽及氧化铌产品质量的重要因素;本发明通过对氢氧化物烘干箱设备的改进,从而实现降低氧化钽、氧化铌产品中的F-离子杂质含量。

采用液-液萃取分离法生产钽铌氧化物过程中,钽液和铌液分别以H2TaF7和H2NbF7(或H2NbOF5)形式存在,并含有一定量的游离HF和H2SO4,在用氨气(液氨)中和过程中,发生F列反应:

H2TaF7+7NH3+5H2O=Ta(OH)5↓+7NH4F

H2NbF7+7NH3+5H20=Nb(OH)5↓+7NH4F

H2NbOF5+5NH3+5H2O=Nb(OH)5↓+5NH4F

HF+NH3=NH4F

H2SO4+2NH3=(NH4)SO4

在Ta(OH)5、Nb(OH)5形成非晶体沉淀时,表现为絮状沉淀物,极易吸附溶液中的杂质(F-、SO42-),造成氧化钽、氧化铌产品中的F离子很难洗涤,为此对氧化钽、氧化铌产品进行脱氟需要通过控制沉淀方式、物料洗涤、烘干与煅烧三道工序,才能保证产品中F-离子含量满足用户要求;用氨气(液氨)中和沉淀钽、铌液生产氧化钽、氧化铌工艺流程,氧化钽或氧化铌产品脱氟的主要工序有:第一、控制沉淀,中和沉淀PH值控制、反应温度控制、通氨速度调整和停放时间的控制;第二、物料洗涤,将沉淀的水合氧化物加水调洗,调洗洗氟过程一般采用热稀氨水(65-90℃)洗涤,有时采用冷氨水洗涤;第三、烘干与煅烧,调洗得到的滤饼,在烘干箱120-250℃烘48小时,然后在800-1050℃条件下进行煅烧。上述三道工序中,物料的洗涤是降低产品F-离子的关键工序。

缺点是:洗涤过程F-离子是无限稀释的过程,洗涤次数往往需要8-10次,要消耗大量的加热稀氨水,而高纯氧化钽、氧化铌产品中对杂质F-含量要求较低,生产过程中洗涤周期长,产品中杂质F-含量波动较大。(见附表:高纯氧化钽、氧化铌产品国家标准)。

附表:高纯氧化钽、氧化铌产品国家标准GB/T10578 2003    (PPm)

导致原因:在Ta(OH)5、Nb(OH)5形成非晶体沉淀时,得到絮状沉淀物,极易吸附溶液中的杂质元素,F-离子主要是形成NH4F.XNH3络合物形式存在,絮状沉淀物中包裹的杂质元素NH4F.XNH3络合物不易进入水溶液,造成洗涤效率不高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种除氟烘干装置,能有效降低氧化钽、氧化铌产品中的F-离子,降低了生产成本,且节能环保。

为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种除氟烘干装置,包括通过输送管相连的蒸汽除氟烘干箱及淋洗回收装置,所述装置还包括蒸汽发生器,且蒸汽发生器与蒸汽除氟烘干箱底部的蒸汽入口相连,在蒸汽除氟烘干箱与淋洗回收装置之间设置有一真空抽风装置。

蒸汽发生器与蒸汽入口之间设置有一蒸汽净化装置,蒸汽净化装置的两侧各设置有一止回阀。

淋洗回收装置的外部设置有一循环水泵,淋洗回收装置的顶部设置有-废气出口。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:第一、在蒸汽除氟烘干箱的蒸汽入口处设置一蒸汽发生器,在确保烘干箱烘干温度条件下,间断地通入经过净化的蒸汽,保证待烘干物升华产生的气体及时排出,间断的保持物料的湿度;第二、在蒸汽发生器与蒸汽除氟烘干箱之间增设一蒸汽净化装置,能有效防止产品的污染,净化产品;第三、在蒸汽除氟烘干箱与淋洗回收装置之间设置一真空抽风装置,使得蒸汽除氟烘干箱处于负压状态,有助于待烘干物的升华,提高升华速度。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

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