[实用新型]一种声表面波滤波器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种中频、大带宽、高矩形度和高带外抑制度的移动通讯用的声表面波滤波器，属于温度测量技术领域。

背景技术

随着通讯设备的用户的越来越多，对通讯设备中的覆盖某一区域的接收部分的通带要求也越来越宽。同时为了保证通带信号不受带外信号的干扰，还要保证对带外信号进行有效抑制，达到通带内信号不受邻道信号和其它杂波信号干扰的目的。而现有的滤波设备无法实现在移动通讯领域的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种应用于移动通讯的中频、大带宽、高矩形度和高抑制度的声表面波滤波器。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种声表面波滤波器，包括基片，所述基片采用YZ切型的铌酸锂晶片，所述基片采用Demod梯形对称结构设置。

由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型所述的声表面波滤波器，采用YZ切型的铌酸锂晶片，从材料上保证了产品的大带宽；在芯片的结构设计上，采用Demod梯形对称结构的芯片设计方案，通过增加V槽宽度，有效地增加了产品的带宽，并且实现了产品的高矩形度和对带外信号的高抑制度。

附图说明

图1是本实用新型具体实施方式提供的声表面波滤波器的结构示意图；

图2是本实用新型具体实施方式提供的封装结构示意图。

具体实施方式

本实用新型具体实施方式提供了一种声表面波滤波器，如图1和图2所示，包括基片，所述基片采用YZ切型的铌酸锂晶片，所述基片采用Demod梯形对称结构设置。

具体的，在芯片的结构设计上，基片采用Demod梯形对称结构的芯片设计方案，达到了实现产品高矩形度和高抑制度的目的；在材料的选取上，采用YZ切型的铌酸锂晶片，配合芯片的Demod梯形对称结构设计，保证了产品能够实现的大带宽滤波的目的。

制作中要解决的关键问题是工艺问题。声表面波器件的制作采用的半导体IC器件制作工艺，但又不同于一般的IC制作，不要求多层套刻，但对指条的光刻质量和芯片表面质量要求比IC高。因此在声表波器件制作过程中，镀膜和光刻工艺都是关键工艺。本具体实施方式中的滤波器的频率为90M。由于频率较低，故在工艺生产过程中要求产品的铝膜较厚，并且图形的条宽较窄。铝膜厚度达到了1万埃以上，而条宽只有1.1μm。在实际生产中，我们通过增加曝光能量和延长曝光时间的方法，使产品能够充分曝光。严格控制显影和腐蚀的过程时间，最终研制出了合格产品。

该产品的电性能指标如下：

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。