[实用新型]像素结构以及相应的液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，特别是涉及可增加像素开口率的像素结构以及相应的液晶显示器。

背景技术

现在的像素结构中普遍在像素的可视区内使用第一金属层作为下板共电极110，并采用与扫描线120平行的设计，即扫描线120与下板共电极110位于同一层上，如图1和图2所示。在图2中，还从下板共电极110中引出垂直于下板共电极110的第一金属电极130分布于像素的像素电极140边缘作为屏蔽金属。

上述设计的缺陷在于，扫描线120在大部分时间为关闭且带有负电位，因此与上板共电极(CF Com)之间存在的电压较大，其电场会对附近的液晶分子的取向产生影响，使得像素在暗态的情况下在像素的边缘处产生漏光的现象，为此需要用较大面积的黑色矩阵(BM)遮蔽该区域，如此便会降低像素的开口率。而且，像素电极140的屏蔽金属(第一金属电极130)虽然并没有直接跨在扫描线120上面，但是其与扫描线120仍存在侧向电容，使得栅极与像素电极140间的电容增大，回踢电压(Feed through)严重，进而影响显示面板闪烁画面的均匀性(flicker uniformity)与残影(Image sticking)的性能。

故，有必要提供一种像素结构以及相应的液晶显示器，以解决现有技术所存在的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有延伸出第一屏蔽金属的下板共电极的像素结构以及相应的液晶显示器，以解决现有技术的像素结构以及相应的液晶显示器为避免像素边缘漏光降低像素的开口率以及像素电极与扫描线之间的侧向电容过大影响显示面板闪烁画面的均匀性以及残影的性能的技术问题。

本实用新型涉及一种像素结构，包括：用于传送灰度信号的数据线；用于传送扫描信号，位于第一金属层的扫描线；以及用于根据所述灰度信号驱动像素，位于透明电极层的像素电极；其中所述像素结构还包括：用于向所述像素提供共电极电压的下板共电极，所述下板共电极延伸出与所述扫描线平行的第一屏蔽金属。

在本实用新型所述的像素结构中，所述下板共电极位于所述第一金属层和所述透明电极层之间的第二金属层。

在本实用新型所述的像素结构中，所述下板共电极垂直于所述扫描线。

在本实用新型所述的像素结构中，所述扫描线与所述第一屏蔽金属部分重叠。

在本实用新型所述的像素结构中，所述像素电极与所述第一屏蔽金属部分重叠。

在本实用新型所述的像素结构中，所述下板共电极还延伸出位于所述像素电极边缘的第二屏蔽金属。

在本实用新型所述的像素结构中，所述下板共电极还延伸出位于所述像素电极区域中的存储电容金属。

本实用新型还涉及一种液晶显示器，包括用于产生扫描信号的扫描驱动模块；用于产生灰度信号的数据驱动模块；用于传送灰度信号的数据线；用于传送扫描信号，位于第一金属层的扫描线；以及用于根据所述灰度信号驱动像素，位于透明电极层的像素电极；其中所述液晶显示器还包括：用于向所述像素提供共电极电压的下板共电极，所述下板共电极延伸出与所述扫描线平行的第一屏蔽金属。

在本实用新型的液晶显示器中，所述下板共电极位于所述第一金属层和所述透明电极层之间的第二金属层。

在本实用新型的液晶显示器中，所述下板共电极垂直于所述扫描线。

在本实用新型的液晶显示器中，所述扫描线与所述第一屏蔽金属部分重叠。

在本实用新型的液晶显示器中，所述像素电极与所述第一屏蔽金属部分重叠。

在本实用新型的液晶显示器中，所述下板共电极还延伸出位于所述像素电极边缘的第二屏蔽金属。

在本实用新型的液晶显示器中，所述下板共电极还延伸出位于所述像素电极区域中的存储电容金属。

本实用新型的像素结构以及相应的液晶显示器通过延伸出第一屏蔽金属的下板共电极解决了现有技术的像素结构以及相应的液晶显示器为避免像素边缘漏光降低像素的开口率以及像素电极与扫描线之间的侧向电容过大影响显示面板闪烁画面的均匀性以及残影的性能的技术问题。

为让本实用新型的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1为现有技术的像素结构的结构示意图；

图2为图1的A-A的截面图；

图3为本实用新型的像素结构的第一优选实施例的结构示意图；

图4为图3的B-B的截面图；

图5为本实用新型的像素结构的第二优选实施例的结构示意图；