[实用新型]高度小型化的基片集成波导谐振器有效
| 申请号: | 201120408595.6 | 申请日: | 2011-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN202259650U | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
| 发明(设计)人: | 程钰间;张传安;樊勇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01P7/00 | 分类号: | H01P7/00 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 周永宏 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高度 小型化 集成 波导 谐振器 | ||
技术领域
本实用新型属于微波毫米波无源器件技术领域,特别涉及微波毫米波无源器件中的基片集成波导谐振器。
背景技术
为了适应现代通信技术的发展要求,微波毫米波电路与系统的发展趋势之一即为小型化。系统的小型化是建立在单个元器件小型化的基础之上,因此单个微波器件的小型化是电路设计中亟待解决的关键问题之一。
谐振器是构成微波电路的基础,被广泛地应用于滤波器、振荡器等电路的设计之中。依照系统整体电路的要求,谐振器可由微带线、金属波导等结构来实现,也可采用结合了二者优点的基片集成波导结构来实现。例如,现有的正方形基片集成波导谐振器为三层结构,即位于中间的介质层和位于介质层两侧的第一金属覆铜层和第二金属覆铜层,对介质层打孔并对孔做表面金属化处理形成金属化通孔,每一个金属化通孔均贯穿第一金属覆铜层、介质层与第二金属覆铜层连接,形成两排横向、两排纵向的四排金属化通孔,围出正方形的基片集成波导谐振器。现有的基片集成波导谐振器具有与金属波导谐振器类似的结构和设计方法,其可以用平面电路的形式实现近似封闭的谐振器结构,较微带线等传统平面电路具有明显的性能优势,如高品质因素、低损耗。
但是,现有的基片集成波导谐振器也继承了金属波导谐振器的一大缺点,即体积较大。与微带线等构成的传统平面谐振器相比,上述现有的基片集成波导谐振器很难减小电路尺寸,不利于系统的整体小型化设计。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服现有的基片集成波导谐振器电路面积偏大的不足,提出了一系列高度小型化的基片集成波导谐振器。
为了实现上述目的,本实用新型的技术方案之一是:一种高度小型化的基片集成波导谐振器,包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层和第三金属覆铜层,其特征在于,所述金属化通孔依次贯穿了第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层与第三金属覆铜层连接,形成上下两组层叠的正方形腔,所述第二金属覆铜层中对应于正方形腔的位置内紧靠金属化通孔处具有一组贯穿第二金属覆铜层的C型槽,所述C型槽临近两端处分别连接两根微带线,所述微带线靠近C型槽的一端两侧分别具有贯穿第二金属覆铜层的耦合槽,所述耦合槽与C型槽相连,所述金属化通孔在微带线、耦合槽处中断。
本实用新型的技术方案之二是:一种高度小型化的基片集成波导谐振器,包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层和第三金属覆铜层,其特征在于,所述金属化通孔依次贯穿了第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层与第三金属覆铜层连接,形成上下两组层叠的正方形腔,所述第二金属覆铜层中对应于正方形腔的位置内靠近金属化通孔处具有两组贯穿第二金属覆铜层的L型槽,在所述L型槽中间适当位置处连接微带线,所述微带线靠近L型槽的一端两侧分别具有贯穿第二金属覆铜层的耦合槽,所述耦合槽与L型槽相连,所述金属化通孔在微带线、耦合槽处中断。
本实用新型的技术方案之三是:一种高度小型化的基片集成波导谐振器,包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层和第三金属覆铜层,其特征在于,所述金属化通孔依次贯穿了第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层与第三金属覆铜层连接,形成两组层叠的等腰直角三角形腔,其斜边一侧视作开路,即斜边外侧没有金属化通孔,所述第二金属覆铜层中对应于等腰直角三角形腔的位置内紧靠金属化通孔处具有一组贯穿第二金属覆铜层的L型槽,所述L型槽临近两端处分别连接两根微带线,所述微带线靠近L型槽的一端两侧分别具有贯穿第二金属覆铜层的耦合槽,所述耦合槽与L型槽相连,所述金属化通孔在微带线、耦合槽处中断。
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