[实用新型]白光LED外延结构

权利要求书

1.一种白光LED外延结构，包括从下至上依次设置的SiC衬底、N-GaN接触层、GaN外延层、InGaN/GaN 发光层，其特征为：在InGaN/GaN 发光层（5）之上还依次设有AlInGaP半导体复合物发光层（6）和P+GaN接触层（7）。

2.根据权利要求1所述的白光LED外延结构，其特征为：在SiC衬底（1）和N-GaN接触层（3）之间设有AIN过渡层（2），P+GaN接触层（7）之上设有ITO透明导电层（8）。

3.根据权利要求1或2所述的白光LED外延结构，其特征为：从GaN外延层（4）一直深入到SiC衬底（1）刻蚀有交替的沟槽结构（9），SiC衬底（1）表面还加工密布有纳米坑，InGaN/GaN 发光层（5）则部分悬空在沟槽结构（9）上方。

4.根据权利要求1或2所述的白光LED外延结构，其特征为：所述SiC衬底（1）的厚度为50～100um、N-GaN接触层（3）的厚度为200～800 nm、GaN 外延层（4）的厚度为500～2000nm、InGaN/GaN 发光层（5）的厚度为4000～9000nm、AlInGaP半导体复合物发光层（6）的厚度为1000～5000nm、P+GaN接触层（7）的厚度为100～500 nm。

5.根据权利要求2所述的白光LED外延结构，其特征为：所述AIN过渡层（2）的厚度为10～100 nm，ITO透明导电层（8）的厚度为1～10um。