[实用新型]气体分配装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种主要用于化学气相沉积法中，反应室内的气体分配装置。

背景技术

化学气相沉积（CVD）是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，是在相当高的温度下，混合气体与基体表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。因此混合气体的流速及在沉降室中的均匀分散度，直接影响着镀层的质量。而现有技术中，进入沉降室的混合气体流速难以控制，气体在沉降室中分配不均，因此易出现次品，造成浪费。

发明内容

为了解决以上问题，本实用新型提供一种可以降低气体流速，使混合气体均匀进入沉降室，从而保证镀层质量的气体分配装置。

本实用新型采用的技术方案是：一种气体分配装置，支架Ⅰ固定挡板，挡板上端至少安装三层隔板，每层隔板上设有若干通气孔，隔板用支架Ⅱ固定。

上述的气体分配装置，设在不同层的隔板上的通气孔的直径相同或不同。

优选的，上述的气体分配装置，从最下层隔板向最上层隔板，每层隔板上的通气孔的直径依次增加。

本实用新型的有益效果是：由于设置了挡板，通过挡板首先分散混合气体，使混合气体从挡板的两侧向上流动，避免了混合气体中部密度大，四周密度小下进入沉降室。由于设置了多层隔板，隔板上设有通气孔，使得气体在向上流动过程中，从通气孔中穿插流动，混合气体被再次分配，进一步使混合气体分布均匀。通气孔的直径从最下层向最上层，其直径依次增加，使气体在充分混合的同时，降低流速，降低气体压力，使得沉降室的压力达到常压。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是图1的俯视图。

图3是本实用新型工作状态简图。

具体实施方式

如图1和图2所示，一种气体分配装置：支架Ⅰ（1）固定挡板（2），挡板（2）上端至少安装三层隔板（3）（本实施例安装四层隔板），每层隔板（3）上设有若干通气孔（4），隔板（3）用支架Ⅱ（5）固定。

上述的气体分配装置，设在不同层的隔板（3）上的通气孔（4）的直径相同或不同。

本实施例采用：同一隔板（3）上的通气孔（4）的直径相同，而不同层隔板（3）上的通气孔（4）的直径不同。具体为：从最下层隔板向最上层隔板，每层隔板（3）上的通气孔（4）的直径依次增加。即最下层隔板上的通气孔的直径最小，向上依次增加，最上层隔板上的通气孔的直径最大。

如图3所示，本实用新型工作时：将本实用新型置于CVD反应装置（10）的气体室（20）内。混合气体经进气管（30）和预热室（40）进入气体室（20），首先经挡板（2）阻挡，第一次分散，然后经过多层隔板（3）上的通气孔（4），第二次分散，达到进入沉降室（50）前的混合气体降低了流速和压力，气体在气体室内分散均匀，保证了沉降室内为常压和反应气体分布均匀。