[实用新型]一种阵列基板和显示设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板和显示设备。

背景技术

目前，在LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)显示器中，TN(Twist Nematic，扭曲向列)型TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)是较常用的驱动方式。TFT-LCD中的储存电容主要是用于进行电能存储，使其充好电的电压能保持到下一次更新画面的时候使用。

在TFT-LCD的制作过程中，通常是利用显示电极与Gate(栅线)走线或是公共Common线，来形成平行板电容，作为TFT-LCD中的储存电容。为了保持TFT-LCD像素在Gate信号关闭时，像素电极的电压平稳，通常采用在阵列基板上制备Common线(公共电极线)的方法。但Common线的引入必然带来以下问题：

1、降低了像素的开口率，由于Common线不透光，所以Common线越粗，开口率下降越多；

2、为了保证开口率，所以Common线一般制备的较细，这样就容易发生Common Open(公共电极开路)类不良，降低产品的良率；

3、目前，TFT-LCD有着面板尺寸越做越大，分辨率越做越高的趋势，因此Common线也变得越来越长，这会导致Common线的电阻会随着线长度的增加而增大，电阻效应的增加均会导致Common信号的衰减，难以保证Common线上电压均衡。

为解决以上问题，出现了π形、Z形Common线等，这样可以在一定程度上增大Common线面积，保证存储电容的电压，但是却更容易使得Common线的电阻增大，或者容易发生GCS(Gate Common Shot，栅线-公共电极线短路)类不良，并且由于Gate层覆盖后是进行抽测，漏测后不好修复。

为解决上述问题，有方案采用透明电极制作Common线(公共电极线)，从而可以将Common线制作的很粗，近乎覆盖整个像素，这样可以提高存储电容性能，并提供像素的开口率和产品的良率，但是本实用新型发明人发现，由于Common线较粗，Common线易于和Data(数据)线等线路产生寄生电容，进而影响产品的性能。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种阵列基板和显示设备，以实现减小Common线寄生电容，进而提高产品性能。

本实用新型提供的一种阵列基板，包括使用透明导电材料制作的公共电极线，所述公共电极线在与其它线路的交叉部分的线宽小于所述公共电极线其余部分的线宽。

所述其它线路具体为数据线或者栅线。

所述透明导电材料具体为氧化铟锡。

或者，所述透明导电材料具体为氧化锌。

所述公共电极线其余部分的线宽大于像素宽度的80％。

所述公共电极线在与其它线路的交叉部分的线宽小于所述公共电极线其余部分的线宽的50％。

所述公共电极线在与其它线路的交叉部分为至少2个子公共电极线，所述子公共电极线的线宽小于所述公共电极线线其余部分的线宽的50％。

在所述公共电极线与其它线路的交叉部分上，设置有金属层。

所述金属图形具体为，在刻蚀过程中保留的栅金属层。

本实用新型实施例还提供一种显示设备，包括本实用新型实施例提供的阵列基板。

本实用新型实施例提供一种阵列基板和显示设备，在该阵列基板中，使用透明电极来制作Common线，同时，在Common线与其它线路交叉部分，将Common线制作的细于Common线的其余部分，进而减小了Common线与其它线路产生的寄生电容，提高了产品性能。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的阵列基板结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的较佳的阵列基板结构示意图之一；

图3为本实用新型实施例提供的制作阵列基板的方法流程图；

图4为本实用新型实施例提供的制作阵列基板的流程中曝光后的阵列基板结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的制作阵列基板的流程中刻蚀后的阵列基板结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的较佳的阵列基板结构示意图之二。

具体实施方式