[实用新型]一种能够测量三维温度场的半导体制冷片无效
| 申请号： | 201120175055.8 | 申请日： | 2011-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN202119158U | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王俭 | 申请（专利权）人： | 苏州科技学院 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02;G01K7/01;G01K7/22 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 能够 测量 三维 温度场 半导体 制冷 | ||
【权利要求书】：
1. 一种能够测量三维温度场的半导体制冷片，其特征在于，在半导体制冷片的热负载端基板（3）中安置有若干个微型温度敏感元件（1），微型温度敏感元件（1）紧贴导电板（2)，在半导体制冷片中每一个N型半导体或P型半导体颗粒上方安置有一个微型温度敏感元件（1），每个微型温度敏感元件（1）都连接有引出线，引出线以多敏感元件阵列布局方式在电绝缘层（3）中布线，微型温度敏感元件（1）引出线分横线层（4）和纵线层（5）上下两层，错开布放。
2.根据权利要求1所述的能够测量三维温度场的半导体制冷片，其特征在于，所述微型温度敏感元件（1）为二极管温度敏感元件或热敏电阻。
3.根据权利要求1所述的能够测量三维温度场的半导体制冷片，其特征在于，所述微型温度敏感元件（1）的检测温度面的面积小于一个N型半导体或一个P型半导体颗粒的温度受检面的面积。
4.根据权利要求1所述的能够测量三维温度场的半导体制冷片，其特征在于，所述微型温度敏感元件（1）的厚度小于电绝缘层（3）厚度。
5.根据权利要求1所述的能够测量三维温度场的半导体制冷片，其特征在于，所述布线与测量电路相连，采用静态随机存贮器技术中的行和列的译码电路作为信号读取电路。
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