[实用新型]新型薄膜电容器无效

专利信息
申请号: 201120170074.1 申请日: 2011-05-25
公开(公告)号: CN202110953U 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 黄献文;周淑珍 申请(专利权)人: 四川云翔电子科技有限公司
主分类号: H01G4/33 分类号: H01G4/33;H01G4/38
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 方强
地址: 629000 四川省遂*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 新型 薄膜 电容器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种电容器,特别是一种新型薄膜电容器。

背景技术

薄膜电容(Film Capacitor)器又称塑料薄膜电容(Plastic Film Capacitor)。其以塑料薄膜为电介质,薄膜电容广泛被使用在模拟信号的交连,电源噪声的旁路(反交连)等地方。

现有的本技术领域中,为了获得高压直流电源,常用到倍压或多倍压整流电路,所谓的倍压或多倍压整流电路是指利用滤波电容的存储作用,由多个电容和二极管可以获得几倍于变压器副边电压的输出电压。常见倍压整流电路如图1所示,一般习惯选用6个或多个容量和额定电压完全相同的电容器做滤波电容器,上述电容器为市面上的普通薄膜电容器。为了保证电路指标,要求6个电容器的容量偏差越小越好,但实际生产中电容器个体之间总存在偏差,这样导致电路性能不佳,具体来说会导致电路纹波分量增加,负载能力降低。并且6个电容器的总体积较大,对实际应用中易造成不方便,而且一次性采用6个甚至多个单独的电容器也会使得整个倍压电路的成本提高。

如申请号为201010111173.2,申请日为2010-02-1,名称为“薄膜电容器”的发明专利,包含一个第一电极、一个与该第一电极相对立设置的第二电极,及一层夹置于该第一、二电极间的介电膜层结构。该介电膜层结构具有一层经掺杂的介电层,该经掺杂的介电层具有一大于零且小于1010原子/cm3的掺杂浓度的掺杂物。上述专利虽然对薄膜电容器的结构进行了改进,但是并没有解决多个电容器应用在倍压或多倍压整流电路中所存在的上述问题。

发明内容

针对现有应用在倍压或多倍压整流电路中的多个薄膜电容器存在体积大、成本高的问题,特提出一种新型薄膜电容器,本实用新型采用集成方式,将6个或多个电容器集成在一个电容器芯组内部。

本实用新型的技术方案如下:

一种新型薄膜电容器,其特征在于:所述新型薄膜电容器包括一个集成芯组、用于安装集成芯组的的安装组件和对集成芯组进行包封的包封组件。

所述集成芯组内部至少集成有6个电容器。

所述集成芯组内部的电容器参数一致。

所述集成芯组内部的电容器分为两组,两组电容器互相串联。

本实用新型的优点在于:

1、本实用新型将至少6个电容器集成在一个芯子里面,由于所有电容器选用的材料一致,工艺参数也一致,电容量偏差会很小。经过实际测试,单体电容器的偏差在±5%左右。而本结构电容器的偏差可以控制在±1%,大幅度提高了电容器容量精度。

2、传统电容器由芯组、包封组件、构成,体积较大的电容器还包括安装组件,6个独立电容器包括6个芯组、6套包封组件甚至6套安装组件,该新结构电容器由1个集成芯组、1个包封组件和1个安装组件构成,与传统电容器相比,节省了包封组件和安装组件,因此总成本和总体积都降低。具体来说,本实用新型的体积只有原来6个同样容量和额定电压电容器总体积的85%,材料成本为原来6个电容器的90%。

附图说明

图1为现有6倍压整流电路图。

图2为本实用新型采用6个电容器的结构示意图。

图3为本实用新型采用6个电容器的使用状态图。

附图中1、集成芯组  2、电容器C1  3、电容器C2  4、电容器C3  5、电容器C4  6、电容器C5  7、电容器C6。

具体实施方式

一种新型薄膜电容器,包括一个集成芯组、用于安装集成芯组的的安装组件和对集成芯组进行包封的包封组件,集成芯组内部至少集成有6个电容器,集成芯组内部的电容器参数一致,集成芯组内部的电容器分为两组,两组电容器互相串联。

在实际使用中为了获得高压直流电压,常采用多倍压整流方式,图1所示为6倍压整流电路,电路中C1、C2、C3从物理结构上属于串联连接,C4、C5、C6也是。因此在设计电容器时将C1、C2、C3和C4、C5、C6分别设计成两组串联结构。电容器芯的概念为本领域公知常识。传统电容器由芯组、包封组件、构成,体积较大的电容器还包括安装组件,6个独立电容器包括6个芯组、6套包封组件甚至6套安装组件,该新结构电容器由一个集成芯组、一个包封组件和一个安装组件构成,与传统电容器相比,节省了包封组件和安装组件,因此总成本和总体积都降低。

除了采用6个电容以外,还可以选用8、10、12等多个电容;除了采用两组电容串联的形式以外,还能采用设置成多组电容串联的形式。

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