[实用新型]一种直流-直流变换器副边有源吸收线路

权利要求书

1.一种直流-直流变换器副边有源吸收线路，该线路采用包含原边线路和副边线路的直流-直流变换器，原边线路包含输入电压源、与输入电压源耦合的一个或多个开关器件、耦合原边线路和副边线路的变压器原边绕组；副边线路包含耦合原边线路和副边线路的变压器副边绕组，由一个或多个整流开关器件构成的整流线路、耦合一个或多个整流开关器件的一个或多个有源吸收线路、和由输出电感和输出电容构成的与整流线路耦合的输出滤波线路；有源吸收线路包含由一个第一电容和一个第一可控开关器件构成的串联支路、和控制第一可控开关器件的线路。

2.如权利要求1所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，有源吸收线路跨接在一个或多个整流开关器件上，上述第一可控开关器件的控制信号由一个与输出电感耦合的绕组生成。

3.如权利要求2所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，上述第一可控开关器件为P型MOSFET，具有一个并联的第一二极管；与输出电感耦合的绕组产生的电压经过由一个第二电容、一个第二二极管和一个第一电阻构成的电平移动线路形成负信号，驱动上述第一可控开关器件，实现在整流开关器件为关断的部分时间内上述第一可控开关器件为导通状态，在整流开关器件为导通的全部时间内上述第一可控开关器件为关断状态。

4.如权利要求1所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，上述第一可控开关器件的控制信号由变压器副边绕组的信号生成。

5.如权利要求4所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，上述第一可控开关器件为P型MOSFET；由变压器副边绕组生成的信号经过一个第二电阻和一个第三电阻分压接至一个第一驱动器的输入端；该第一驱动器为反相输出，输出信号经过电平移动线路形成负信号，驱动吸收线路中的第一可控开关器件。 

6.如权利要求1所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，一个第一有源吸收线路跨接在一个整流桥的第一桥臂中点和副边的地之间；一个第二有源吸收线路跨接在上述整流桥的第二桥臂中点和副边的地之间；第一和第二有源吸收线路中分别的第一可控开关器件和第二可控开关器件的控制信号由各自桥臂的下方开关器件的驱动信号产生。

7.如权利要求6所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，上述第一可控开关器件和第二可控开关器件为P型MOSFET；第一桥臂的下方开关器件的驱动信号经过电平移动线路形成负信号，驱动上述第一可控开关器件；第二桥臂的下方开关器件的驱动信号经过电平移动线路形成负信号，驱动上述第二可控开关器件。