[实用新型]一种太阳能电池陷光结构有效
| 申请号： | 201120143682.3 | 申请日： | 2011-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN202042488U | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘红霞;孔慧;林飞燕;任佳俊;康兆璧 | 申请（专利权）人： | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳能电池陷光结构，其特征在于包括：硅衬底层，所述硅衬底层上表面镀有一层ZnO薄膜，所述ZnO薄膜上生长有ZnO阵列，形成ZnO柱状结构。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池陷光结构，其特征在于：所述ZnO柱状结构，为实心的六面的长柱体，柱的一端为平面，另一端为锥面，柱体的轴向方向为极轴c轴。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池陷光结构，其特征在于：所述ZnO柱状结构，为空心的六面的管状柱体，顶面为正六边形，柱体的轴向方向为极轴c轴。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池陷光结构，其特征在于：所述ZnO薄膜为纳米级ZnO薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种太阳能电池陷光结构，其特征在于：所述ZnO阵列为ZnO纳米阵列。
6.根据权利要求1所述的一种太阳能电池陷光结构，其特征在于：所述ZnO薄膜上生长有ZnO阵列，是通过水热法在镀有前驱ZnO薄膜的衬底上生长出ZnO阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
