[实用新型]一种节能无弧电磁接触器有效

专利信息
申请号: 201120046544.3 申请日: 2011-02-24
公开(公告)号: CN201936818U 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 陈庆祥 申请(专利权)人: 陈庆祥
主分类号: H01H51/12 分类号: H01H51/12
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 任海燕
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 节能 电磁 接触器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种电磁接触器。

背景技术

电磁接触器硬件结构一般包括铁心、衔铁、励磁绕组(线圈)三部分,另外还设置电子线路用于其工作控制。其电子线路通常如图2所示,当接通电源,交流电通过二极管组成的整流桥整流再经继电器U1接通线圈2,对电路的电容C3充电,线圈2中有正向脉冲电流,此时铁心3被瞬间脉冲电流产生的电磁场磁化,与磁铁4以同性相斥、异性相吸的原理产生一推一拉的合力,则接触器的动、静触点吸合。当电容C3充满电荷时,线圈中无电流,脉冲电路停止后,磁场消失,此时,线圈铁心3被磁铁4吸住,即锁定,保持接触器的动、静触点吸合状态。断开电源时,电容C3放电,给线圈2一个反向脉冲电路,铁心3被反向脉冲电流产生的电磁场磁化,但此时其磁性与接通电源时磁性相反,根据磁铁4以同性相斥、异性相吸的原理也产生一推一拉的合力,则接触器的动、静触点断开。为了保证在电源开启和关闭瞬间,接触器触点能够稳定吸合或断开,电子线路中的电容C3通常采用容量较大的电解电容,但是电解电容与被控电磁线圈可能产生自激振荡,影响接触器正常工作。

发明内容

本实用新型需解决的问题是提供一种采用无触点开关方式,工作性能稳定可靠的电磁接触器。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:一种节能无弧电磁接触器,包括线圈架、绕制于线圈架上的线圈、位于线圈架内的铁心及与线圈连接用于驱动接触器的电子电路,在铁心上下方各安装有一块磁极相对应的钕铁硼磁铁,所述电子电路包括第一固体继电器及第二固体继电器及控制电路,两固体继电器触点端分别连接线圈两端;上电后,控制电路控制电源接入第一固体继电器,则第一固体继电器动作,线圈中产生自上而下的电流,铁心磁化促使接触器动作;控制第一固体继电器电源断开,则电源加在第二固体继电器上,线圈中产生自下而上的电流,铁心反向磁化,则接触器断开。

与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:所述接触器电子电路中取消了大容量的电解电容,避免了电解电容与被控电磁线圈自激震荡现象,保证了接触器的工作稳定性;同时采用无触点的SSR固体继电器控制,避免了触点切换时产生的高压电弧对继电器的损伤,延长了电子线路的工作寿命,进一步保证其稳定可靠工作。

附图说明

图1是所述电磁接触器的结构示意图;

图2为现有电磁接触器的电子线路图;

图3是所述电磁接触器电子线路示意图。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解,下面将结合具体实施例及附图对本发明的结构原理作进一步的详细描述。

如图1,本实用新型所揭示的电磁接触器,包括线圈架1、绕制于线圈架1上的线圈2、位于线圈架1内的铁心3及与线圈2连接用于驱动接触器的电子电路A,在连接框架5上对应铁心3上下方的各安装有一块磁极相对应的钕铁硼磁铁4。

该节能无弧电磁接触器的电子电路包括第一固体继电器SSR1及第二固体继电器SSR2及控制电路,SSR1和SSR2输出端(触点端)分别接电磁线圈2的两端。交流电源经光电耦合电路供给两个固体继电器SSR1和SSR2。SSR1输出端为常开,SSR2输出端为常闭。当SSR1输入端断开时,BG截止。SSR1无输出。电压加在SSR2上,SSR2输出。当SSR1输入端接通时。BG导通,SSR1输出。稳压管DW保障在SSR1输出时,SSR2无输出。通过SSR1和SSR2输出的开通和关闭,改变电子线圈中的电流方向。从而改变电磁线圈中铁芯的N,S极,实现与Nd-Fe-B永磁元件的吸合与推斥。

电子线路的具体实施电力如图3。其中,控制电路包括光耦U1, 光耦U1一输出端通过电阻R3接两固体继电器SSR1控制端正极;光耦U1另一输出端通过电阻R1接三极管BG基极,三极管BG集电极接第一固体继电器SSR1控制端负极,三极管BG射极接地,光耦U1该端同时还通过稳压管DW接第二固体继电器SSR2控制端负极。

第一固体继电器SSR1常开触点与线圈2一端连接,第二固体继电器SSR2常闭触点与线圈2另一端连接,第一固体继电器SSR1中间触点连接至电源的正极,其常闭触点与第二固体继电器SSR2的常开常开触点、常闭触点均连接。

线圈2两端还并联有电容C及电阻R4串联组成的滤波电路。

该种接触器无需在线圈中持续通电维持工作,具有节能效果,同时工作性能稳定。

在此说明,在未脱离本发明构思前提下对其所做的任何微小变化及等同替换,均应属于本发明的保护范围。

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