[实用新型]射频横向扩散P型MOS管有效
| 申请号： | 201120011307.3 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN201936885U | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 高怀;陈文兰;田婷;孙晓红;王晓彧 | 申请（专利权）人： | 苏州英诺迅科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 横向 扩散 mos | ||
1.一种射频横向扩散P型MOS管，其特征在于，包括：
衬底和外延层；
所述外延层内形成有漂移区和分别与所述漂移区两侧连接的漏区和沟道；
所述漂移区的表面外形成有覆盖所述漂移区的场氧化层；
所述漂移区内的上部形成有浅槽隔离氧化层区，所述浅槽隔离氧化层区与所述场氧化层相连接。
2.根据权利要求1所述的射频横向扩散P型MOS管，其特征在于：
所述浅沟槽隔离氧化层区包括第一氧化层区和第二氧化层区；
所述第一氧化层区与所述场氧化层相连接；
所述第二氧化层区位于所述第一氧化层区下方的中部区域，且第二氧化层区的范围小于第一氧化层区，第一氧化层区和第二氧化层区的边缘呈阶梯状。
3.根据权利要求1或2所述的射频横向扩散P型MOS管，其特征在于：
所述浅沟槽隔离氧化层区为在所述漂移区中形成的浅沟槽中淀积氧化层得到的浅沟槽隔离氧化层区。
4.根据权利要求3所述的射频横向扩散P型MOS管，其特征在于：
所述浅沟槽包括第一层浅沟槽和第二层浅沟槽；
所述第二层浅沟槽位于所述第一层浅沟槽下方的中部区域，且第二层浅沟槽的范围小于第一层浅沟槽，第一层浅沟槽和第二层浅沟槽的边缘呈阶梯状。
5.根据权利要求2所述的射频横向扩散P型MOS管，其特征在于：
所述第一氧化层区和第二氧化层区的厚度均为0.14μm～0.16μm。
6.根据权利要求1所述的射频横向扩散P型MOS管，其特征在于：
所述沟道表面依次形成有栅氧化层、多晶硅栅、场氧化层和金属场极板。
7.根据权利要求6所述的射频横向扩散P型MOS管，其特征在于：
所述金属场极板为铝场极板，通过淀积金属铝层、刻蚀形成。
8.根据权利要求1所述的射频横向扩散P型MOS管，其特征在于：
所述沟道为N型渐变沟道，掺杂浓度为1×1016cm-3至1×1018cm-3。
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