[发明专利]聚合物,光致抗蚀剂组合物和光刻图案的形成方法有效

专利信息
申请号: 201110463056.7 申请日: 2011-12-02
公开(公告)号: CN102653576A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: Y·C·裴;D·R·威尔森;孙纪斌 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
主分类号: C08F220/32 分类号: C08F220/32;C08F222/14;C08F220/28;C08F220/18;G03F7/038;G03F7/09;G03F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 聚合物 光致抗蚀剂 组合 光刻 图案 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种聚合物,其包含:

下列通式(I)的单体形成的第一单元:

其中:P表示可聚合基团;

R1表示单键,或C1至C10的线型或支链有机基团;

R2和R3各自独立地表示氢原子或C1至C10的有机基团,任选结合形成环;

R4表示氢原子或C1至C10的有机基团;以及

R5和R6各自独立地表示C1至C6的有机基团,任选结合形成环;

以及

包含内酯片段的第二单元。

2.权利要求1所述的聚合物,其中,R1表示单键,或C1至C10的线型或支链亚烷基基团或C2至C10的线型或支链亚链烯基。

3.权利要求1或2所述的聚合物,其中,R5和R6各自独立地表示C1至C6的烷基,或结合形成C3至C6的环烷基。

4.权利要求1-3任一项所述的聚合物,其中R2,R3和R4各自表示氢原子。

5.权利要求1-4任一项所述的聚合物,其中P为下式(P-A)的可聚合基团:

其中R7选自氢和C1至C3的烷基。

6.权利要求1-5任一项所述的聚合物,其进一步包含不同于第一单元和第二单元的第三单元,所述第三单元包含醚、酯、极性基团或酸不稳定片段。

7.权利要求1-6任一项所述的聚合物,其进一步包含不同于第一单元的通式(I)的第二单元。

8.一种光致抗蚀剂组合物,其包含权利要求1-7任一项所述的聚合物和光致产酸剂。

9.一种涂敷基底,其包含基底和基底表面上的权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物。

10.一种形成光刻图案的方法,其包含:

(a)提供基底,该基底表面上包含一个或多个要形成图案的层;

(b)在所述一个或多个要形成图案的层上施加一个权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物的层;

(c)将所述光致抗蚀剂组合物层在光化辐射下曝光;

(d)将曝光的光致抗蚀剂组合物层在后曝光烘烤工艺中加热;和

(e)将显影剂施加于光致抗蚀剂组合物层,以除去一部分光致抗蚀剂,从而形成光致抗蚀剂图案。

11.权利要求10所述的方法,其中通过显影剂除去光致抗蚀剂层的未曝光区以形成光致抗蚀剂图案。

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