[发明专利]用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构。

背景技术

集成电路(Integrated Circuit，IC)按照摩尔定律的演进，集成度不断提高，特征尺寸不断减小。而随着特征尺寸的不断缩小，后段工艺(Back End of Line，BEOL)中金属互连线的可靠性也面临着越来越严峻的考验。现有技术中，蛇形/叉形(Meander/Fork)结构是常用的检验金属互连线可靠性的结构。

请参考图1，其为蛇形/叉形(Meander/Fork)结构的结构示意图。如图1所示，蛇形/叉形结构1包括：蛇形金属线10及叉形金属线11，当然，所述蛇形金属线10与叉形金属线11之间具有介质层(图1中未示出)隔离，所述蛇形/叉形结构1设置于衬底100上，所述衬底100上形成有多种器件(图1中未示出)。

当利用蛇形/叉形结构1检验金属互连线的可靠性时，通过在蛇形金属线10两端施加一定电压，可以检知金属线条上是否存在断开；也可以通过分别在蛇形金属线10和叉形金属线11上施加电压，来检知密集金属线条间是否存在桥接引起的漏电。由于光刻机在X方向和Y方向的曝光能力有所差异，一般设计两个互相垂直的蛇形/叉形结构1来验证可靠性，如图1所示的两个蛇形/叉形结构1之间的位置关系。

集成电路工艺中，当光罩图形的线宽远小于曝光光源的波长时，由于光的衍射等引起的光学临近效应，光罩投影至衬底上面的图形会有很大的变化，甚至会超出规格，这时需要对光罩图形进行OPC(Optical Proximity Correction)修正。为了验证OPC的结果，版图(Layout)中会放入一些特定的结构以检查曝光后光学临近效应是否得到消除。

此外，现有微电子机械系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)中的电连接一般采用类似CMOS后段的金属互连方式，在一些MEMS热成像仪的应用中电极层也被用来做为热吸收层。在这类应用中，电极层吸收的热量直接传递给热敏感层，通过侦测热敏感层的电学性能的变化来达到热成像的目的。兼具热吸收功能的电极层的结构通常采用类似CMOS中的蛇形/叉形(Meander/Fork)结构，以使在获得大的吸热面积的同时又不至于发生短路。对于这种结构，一般的设计中并未考虑吸热的均匀性问题，这在像元(影像单元)较大时将增加信号的干扰，降低成像的信噪比。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，以实现上述提到的多种功能。所述用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构包括：

多根金属线，所述多根金属线呈回形折线状；

介质层，所述介质层位于所述多根金属线之间，使得所述多根金属线之间相互隔离。

可选的，在所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构中，所述多根金属线均沿同一方向绕折，且相互套在一起。

可选的，在所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构中，所述金属线的数量为两根，且一根金属线的端点与另一根金属线的端点相对设置。

可选的，在所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构中，所述金属线的数量为两根，且一根金属线靠近端点的第一段与另一根金属线靠近端点的第一段相对设置，之后两根金属线对应的每一段也为相对设置。

可选的，在所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构中，两根金属线呈中心对称排布。

可选的，在所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构中，套在一起的金属线呈等间距排布。

可选的，在所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构中，套在一起的金属线从中心至边缘呈由密至疏排布。

可选的，在所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构中，套在一起的金属线从中心至边缘呈由疏至密排布。

可选的，在所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构中，所述结构用于集成电路后道互连，所述金属线的材料为Al或Cu，所述介质层的材料为SiO₂或low-K材料，所述金属线宽为0.02微米～0.5微米。