[发明专利]用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构有效
| 申请号： | 201110459697.5 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102496611A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 袁超;姚树歆 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 金属 互连 可靠性 测试 mems 电极 结构 | ||
1.一种用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，其特征在于，包括：
多根金属线，所述多根金属线呈回形折线状；
介质层，所述介质层位于所述多根金属线之间，使得所述多根金属线之间相互隔离。
2.如权利要求1所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，其特征在于，所述多根金属线均沿同一方向绕折，且相互套在一起。
3.如权利要求2所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，其特征在于，所述金属线的数量为两根，且一根金属线的端点与另一根金属线的端点相对设置。
4.如权利要求2所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，其特征在于，所述金属线的数量为两根，且一根金属线靠近端点的第一段与另一根金属线靠近端点的第一段相对设置，之后两根金属线对应的每一段也为相对设置。
5.如权利要求3或4所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，其特征在于，两根金属线呈中心对称排布。
6.如权利要求2至4中的任一项所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，其特征在于，套在一起的金属线呈等间距排布。
7.如权利要求2至4中的任一项所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，其特征在于，套在一起的金属线从中心至边缘呈由密至疏排布。
8.如权利要求2至4中的任一项所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，其特征在于，套在一起的金属线从中心至边缘呈由疏至密排布。
9.如权利要求1至4中的任一项所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，其特征在于，所述结构用于集成电路后道互连，所述金属线的材料为Al或Cu，所述介质层的材料为SiO2或low-K材料，所述金属线宽为0.02微米～0.5微米。
10.如权利要求1至4中的任一项所述的用于集成电路金属互连的可靠性测试或MEMS电极层的结构，其特征在于，所述结构用于MEMS热成像仪中兼具热吸收功能的电极层，所述金属线的材料为Ti、Ta、Pt、TiN、TaN中的一种或多种，所述介质层的材料为热敏感材料，所述金属线宽为0.5微米～5微米。
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