[发明专利]太阳能组件焊带无效
| 申请号: | 201110459555.9 | 申请日: | 2011-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN102544144A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 焦海军 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司;天合光能(常州)科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/05 |
| 代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是一种太阳能组件焊带。
背景技术
太阳能电池片通过太阳能组件焊带连接。普通的焊带结构包括三部分,中间是铜带,上下两层是锡合金或者银层,其厚度只占总厚度的25%以下。由于焊带良好的焊接性能和导电性能,各太阳能电池片在连接后形成一个完整的电气通路,通过焊带传输电流和电压。但在实际使用过程中,随着电池片厚度变薄,铜带和电池片之间热膨胀系数相差较大,在焊接后的冷却过程中两者产生很大的应力,导致电池片破片率较高,后期组件的隐裂较多。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:克服现有技术中之不足,提供一种降低太阳能电池片在焊接后的内部应力,减少太阳能组件隐裂,提高成品率的太阳能组件焊带。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种太阳能组件焊带,具有至少两层金属箔,所述相邻两层金属箔之间设置有可将金属箔粘结在一起的具有导电功能的粘合层,最外层金属箔的外侧面分别设置有锡合金层。
金属箔层数为六层,金属箔为铜箔或者铝箔。
本发明的有益效果是:本发明提供的太阳能组件焊带具有多层金属箔,产生多层的温差和对多层应力的吸收,使得施加于电池片上的应力远远小于同厚度单层金属焊带的应力,电池片变形减小,降低了太阳能电池片的破片率,减少太阳能组件的隐裂,提高成品率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的结构示意图。
图中1.金属箔 2.粘合层 3.锡合金层
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本发明作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本发明的基本结构,因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图1所示的一种太阳能组件焊带,具有至少两层金属箔1,相邻两层金属箔1之间设置有可将金属箔1粘结在一起的具有导电功能的粘合层2,最外层金属箔1的外侧面分别设置有锡合金层3。
实施例一:所述的太阳能组件焊带具有六层金属箔1,金属箔1优选厚度为0.02mm的铜箔,粘合层2为一种导电胶。在第一层铜箔一面均匀涂覆一层导电胶,将第二层铜箔贴在上面,之后在第二层铜箔上涂覆一层导电胶,将第三层铜箔贴在上面,依次是第四层、第五层、第六层,等六层铜箔贴好后,通过设备加压加温,将六层铜箔粘结在一起,然后经表面清洁,浸入锡槽,锡槽温度控制在240度,焊带表面在经过熔融的合金镀液时被均匀浸镀上一层锡合金层3。
实施例二:所述的太阳能组件焊带具有六层金属箔1,金属箔1为优选厚度0.02mm的四层铜箔和0.02mm的两层铝箔,粘合层2为一种导电胶。在第一层铜箔一面均匀涂覆一层导电胶,将第二层铜箔贴在上面,之后在第二层铜箔上涂覆一层导电胶,将第一层铝箔贴在上面,依次是第二层铝箔、第三层铜箔、第四层铜箔,等六层金属箔1贴好后,通过设备加压加温,将六层金属箔1粘结在一起,然后经表面清洁,浸入锡槽,锡槽温度控制在240度,焊带表面在经过熔融的合金镀液时均匀的浸镀上一层锡合金层3。
上述的锡合金层3也可采用镀银方式浸镀上一层银层。
太阳能组件焊带在与电池片焊接后的冷却过程中,处于最外层的金属箔1与空气接触,最先冷却降温,相对第一层金属箔1,第二层温度较高,第一层金属箔1变冷收缩,第二层受到应力,但由于温差较小,以及中间粘合层2的缓冲,应力小了很多。同理经过第三层、第四层等,直到最后贴进电池片的那层,最后一层降温收缩,将应力作用于电池片上,由于多层的温差以及多层应力的吸收,施加于电池片上的应力远远小于同厚度单层金属焊带的应力,电池片变形减小,降低了太阳能电池片的破片率,减少太阳能组件的隐裂。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施,并不能以此限制本发明的保护范围,凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围内。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





