[发明专利]半导体硅片的清洗方法有效
| 申请号： | 201110457590.7 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102513304A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张晨骋 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/10 | 分类号： | B08B3/10;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 清洗 方法 | ||
1.一种半导体硅片的清洗方法，其特征在于，包括：
使用清洗液对硅片表面进行旋转清洗，在所述硅片表面形成清洗液层；
将振荡器移动至所述硅片的上方，使所述振荡器正常工作时所述清洗液层形成声波能量的波导；
与所述振荡器连接的信号发生器向所述振荡器提供信号，信号发生器根据所述硅片旋转增加的圈数按比例提高所述信号发生器的频率。
2.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，所述信号发生器的频率具有频率基准值，在所述频率基准值的基础上提高频率，从所述频率基准值的70％提高到130％。
3.根据权利要求2所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，所述信号发生器的频率每次增加值不超过所述频率基准值的0.8％-1％。
4.根据权利要求2所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，以所述频率基准值的输出功率为基准按比例提高所述信号发生器的功率。
5.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，所述信号发生器的输出功率为157-3532瓦特。
6.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，所述信号发生器的频率为200-3000千赫兹。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，所述硅片为单片式清洗。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，所述振荡器为超声波振荡器或兆声波振荡器。
9.根据权利要求8所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，超声波的所述频率基准值为1000KHz，与所述超声波振荡器连接的信号发生器的输出功率为500W。
10.根据权利要求9所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，所述硅片刚开始清洗时，超声波的频率为700KHz，与所述超声波振荡器连接的信号发生器的输出功率为350W。
11.根据权利要求9所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，所述硅片结束清洗时，超声波的频率为1300KHz，与所述超声波振荡器连接的信号发生器的输出功率为650W。
12.根据权利要求9所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，所述硅片旋转的速度为1200转/分钟，所述硅片的清洗时间为1分钟，所述硅片旋转20圈后，所述信号发生器的频率提高10KHz。
13.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于，所述硅片旋转的速度为500-3000转/分钟。
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