[发明专利]一种酸碱结合的单晶硅太阳能电池制绒方法无效
申请号: | 201110453732.2 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN102496660A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 黎慧华 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23F1/24;C23F1/32;C30B33/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 酸碱 结合 单晶硅 太阳能电池 方法 | ||
技术领域:
本发明涉及太阳能电池制作领域,具体涉及一种单晶硅太阳能电池制绒方法。
背景技术:
太阳能电池是一种新型的能量转换设备,其中,单晶硅太阳能电池以其转换效率高、性能稳定而倍受青睐。为提高太阳能电池的光电转换效率,在其制作过程中,首先需对硅片进行化学处理,一方面在硅片表面形成特定的减反射结构以增加对光的吸收,另一方面去除硅片表面由于切片留下的10-20um厚的机械损伤层。现有的制绒方法是,在去损伤后进行碱制绒,主要以制绒后反射率作为绒面优劣的参考,通过化学反应对硅片表面进行各向异性腐蚀,得到均匀密布的金字塔表面结构,增加了光的吸收,提高了短路电流。但通过现有的碱制绒工艺获得的表面存在大量的复合中心,不利于PN结对载流子的收集,且由于PN结的比表面积较大,不利于开路电压的提高,这种绒面结构大大限制了单晶硅太阳能电池效率的提升。为满足市场对太阳能电池高功率的需求,在现有单晶碱制绒的基础上,工艺改良的高效电池大量涌现,常见的有二次印刷和选择性发射极电池,尽管可以提升效率,但需要引进昂贵的设备和原料,明显增加工艺时长和工艺步骤,生产成本较高。
为解决上述问题,申请人经长期反复试验找到了一种酸碱结合的单晶硅太阳能电池制绒工艺。
发明内容:
本发明的目的是提供一种酸碱结合的单晶硅太阳能电池制绒方法,它既能减少硅片表面的复合中心,有效降低载流子在硅片表面的复合率,又能减小PN结的比表面积,明显提高开路电压,从而大幅提升单晶硅太阳能电池的光电转换效率。此外,这种制绒工艺无需延长工艺时间,只需对现有的制绒设备进行简单改良即可实现。
本发明所采用的技术方案如下:
一种酸碱结合的单晶硅太阳能电池制绒方法,包括以下步骤:去损伤、碱制绒、酸制绒、去金属离子和钝化,其特征在于:所述碱制绒所用制绒溶液为NaOH或KOH溶液,在碱制绒后增设酸制绒,酸制绒所用制绒溶液为HF和HNO3的混合溶液。
进一步,在碱制绒时,所述NaOH或KOH溶液的质量百分含量为1%~5%。
进一步,在碱制绒时,碱制绒的温度为70℃~90℃。
进一步,在碱制绒时,碱制绒后硅片的腐蚀深度控制在1~6um,碱制绒的参考时间为6-18分钟。
进一步,在酸制绒时,所用制绒液为HF和HNO3的混合溶液,其中HF的浓度为40%-50%,HNO3的浓度为60%-70%。
更进一步,在酸制绒时,在酸性制绒溶液中HF和HNO3的体积百分含量为50%~80%。
更进一步,酸制绒时所用酸性绒液为HF和HNO3的混合溶液,HF和HNO3的体积比为1∶2~7。
进一步,在酸制绒时的温度控制在2~16℃。
进一步,控制酸制绒的腐蚀深度为1~10um,酸制绒的参考时间为10~140秒。
本发明的优点是:由于在碱制绒后增设酸制绒,能将金字塔底部的不稳定结构进一步腐蚀,形成狭窄的凹槽,使原有的密布的金字塔结构变得分散。它既能减少硅片表面的复合中心,有效降低载流子在硅片表面的复合率,又能减小PN结的比表面积,明显提高开路电压,从而大幅提升单晶硅太阳能电池的光电转换效率。采用本发明,开路电压可提升8~15mV,电池转换效率可提升0.4~0.6%,以硅片类型为125-165的单晶为例,采用本发明与现有碱制绒工艺相比,所得典型参数对比如下表:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州亿晶光电科技有限公司,未经常州亿晶光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110453732.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的