[发明专利]三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201110453408.0 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN102557114A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 张龙;柳洋;董红星 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: C01G15/00 分类号: C01G15/00;G01N27/04
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张泽纯
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 三维 空心 多级 结构 氧化 铟基气敏 材料 制备 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法,其特征在于该方法包括如下步骤:

①取铟盐溶液和丙三醇,放入反应釜的聚四氟乙烯内胆中搅拌形成均匀混合溶液,并在搅拌过程中滴加铟离子配体乙二胺,继续搅拌,最后加入表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵,再次搅拌均匀后,将内胆密封放入不锈钢反应釜中,在140~220℃反应6~24小时;所得产物经去离子水、乙醇反复清洗,经离心干燥,得到花状空心多级结构氧化铟的前驱体;所述的铟盐溶液的铟离子浓度为0.1~0.6mol/L,所述的无机铟盐溶液和丙三醇的体积比为2∶17,所述的乙二胺与所述的铟离子的摩尔比为10∶1~30∶1;

②将所述的氧化铟前驱体在260℃以上的温条件下煅烧30分钟以上,得到三维花状空心多级结构氧化铟基气敏材料的粉末。

2.根据权利要求1所述的三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法,其特征在于所述的铟盐为氯化铟、硫酸铟或硝酸铟。

3.根据权利要求1或2所述的三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法,其特征在于所述的三维花状空心多级结构氧化铟基气敏材料由大量自由、分立纳米片自组装而成,为空心花状形貌,纳米片厚度20~50nm,空心花状结构尺寸为0.5~3μm。

4.利用权利要求1所述的方法制备的三维空心多级结构氧化铟基气敏材料制作气敏传感器的制备方法,特征在于步骤如下:

①取所述的三维空心多级结构氧化铟基气敏材料经研磨后,加入适量松油醇调制成浆料,将该浆料均匀涂覆在带有金浆电极的氧化铝陶瓷管上,干燥后在600℃烧结2小时以上得到气敏元件;

②取加热丝穿入所述的气敏元件的管芯中,然后将所述的气敏元件的电极引线和加热丝引线焊接在气敏器件座上,经老化处理后形成旁热式气敏传感器。

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