[发明专利]一种传导制冷型高功率半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201110453400.4 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102570291A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王警卫;刘兴胜 | 申请（专利权）人： | 西安炬光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/02 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐平 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 传导 制冷 功率 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种传导冷却型高功率半导体激光器，包括散热器和一个或者多个半导体激光器单元；其特征在于：所述半导体激光器单元由芯片、与芯片焊接的起散热导电作用的衬底、以及与衬底焊接的起绝缘散热作用的绝缘片组成，半导体激光器单元通过绝缘片焊接在散热器上。
2.根据权利要求1所述的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器单元是经过测试、老化、筛选后的半导体激光器单元。
3.根据权利要求1所述的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述芯片为单管芯片、短阵列或者多个单管芯片组。
4.根据权利要求1所述的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述衬底的材质为既具有导电性能并且热导率高于170W/(m2·K)的材料。
5.根据权利要求1所述的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述绝缘片的热导率高于120W/(m2·K)。
6.根据权利要求1所述的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述散热器采用水冷、风冷或者电子制冷或者结合其中的两种或两种以上散热方式的散热结构。
7.根据权利要求6所述的传导冷却型高功率半导体激光器，其特征在于：所述散热器的个数为单个或多个。
8.制备如权利要求1所述的传导冷却高功率半导体激光器的方法，包括以下步骤：
(1)取单管芯片或短阵列安装在具有散热导电作用的衬底上，将衬底安装在具有绝缘散热作用的绝缘片上制成半导体激光器单元；
(2)对半导体激光器单元进行测试、老化、筛选；
(3)将筛选后合格的多个半导体激光器单元通过绝缘片安装在散热器上，制成传导冷却型高功率半导体激光器。
9.制备如权利要求1所述的传导冷却高功率半导体激光器的方法，包括以下步骤：
(1)由单管芯片或短阵列安装在具有散热导电作用的衬底上，将衬底安装在具有绝缘散热作用的绝缘片上制成半导体激光器单元；
(2)对半导体激光器单元进行测试、老化、筛选；
(3)将筛选后合格的多个半导体激光器单元焊接在一起，然后将焊接在一起的多个半导体激光器单元通过绝缘片焊接在散热器上，制成传导冷却型高功率半导体激光器。
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