[发明专利]使用金属过孔(VIA)构成的电感设计无效
| 申请号: | 201110448996.9 | 申请日: | 2011-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN103187156A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 上海摩晶电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01F37/00 | 分类号: | H01F37/00;H01F41/00;H01L21/768 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200235 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 金属 via 构成 电感 设计 | ||
技术领域
本发明适用于生成电路内部的电感线圈设计,提出了一种利用过孔增大金属层有效高度,提高线圈性能的方法。
背景技术
在RF 集成电路的设计中,通常要用到集成到芯片内部的电感器。对电感器来说,最主要的参数是单位电感和Q值,而这两者又是与金属层的厚度直接相关的,因此,专用的RF工艺往往加大某几层金属的厚度。这是以提高工艺难度和成本为代价的。
发明内容
本发明采用高密度过孔连接的方法,以增高等效金属厚度。也就是说,用设计法则允许的最小间距将上下二曾金属连接起来。如果工艺条件允许,还可以选用更宽的过孔。由于电场线在靠近过孔的区间基本是垂直于过孔方向,这种设计的结果基本相当于具有上层金属加过孔高加下层金属的高度。
附图说明
图1是密集过孔阵连接的二层金属(A , B)的示意图。
具体实施方式
本发明中具体的电感值可以有场解析软件(field solver)给出。
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