[发明专利]隧道晶体管

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

源极；

漏极；

栅极区，所述栅极区包括：

栅极；

岛；以及

栅极氧化物，

所述栅极氧化物位于栅极和岛之间；而所述栅极和岛可相互作用地彼此耦合；以及

源极阻挡层和漏极阻挡层，

所述源极阻挡层将所述源极与所述栅极区隔开而所述漏极阻挡层将所述漏极与所述栅极区隔开。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极阻挡层和漏极阻挡层具有可变的厚度。

3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述源极阻挡层和漏极阻挡层在接近所述岛的地方比接近所述栅极的地方更薄。

4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极和漏极包括n或p型掺杂的硅。

5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极包括金属、金属氧化物或多晶硅。

6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极氧化物包括SiO₂或具有高介电常数的材料。

7.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述栅极氧化物包括ZrO₂、Y₂O₃、HfO₂、SiO_xN_y或其固溶体。

8.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极阻挡层和漏极阻挡层独立地包括SiO₂或具有高介电常数的材料。

9.如权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述源极阻挡层和漏极阻挡层独立地包括ZrO₂、Y₂O₃、HfO₂、SiO_xN_y或其固溶体。

10.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述岛包括n或p型掺杂的硅或半导体氧化物。

11.如权利要求10所述的晶体管，其特征在于，所述岛包括SnO、Sn₂O₃、In₂O₃或其固溶体。

12.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极、源极阻挡层、岛、漏极阻挡层和漏极被层叠在衬底上。

13.如权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述源极阻挡层比所述漏极阻挡层更厚。

14.如权利要求12所述的晶体管，其特征在于，至少所述栅极区的岛接触所述源极阻挡层和所述漏极阻挡层。

15.如权利要求14所述的晶体管，其特征在于，所述栅极仅接触栅极氧化物。

16.一种存储器阵列，包括：

包括多个存储器单元的第一存储器阵列层，每个存储器单元包括电耦合于存储元件的晶体管；以及

包括多个存储器单元的第二存储器阵列层，每个存储器单元包括电耦合于存储元件的晶体管，

其中所述晶体管包括：

源极；

漏极；

栅极区，所述栅极区包括：

栅极；

岛；以及

栅极氧化物，

所述栅极氧化物位于栅极和岛之间；而所述栅极和岛可相互作用地彼此耦合；以及

源极阻挡层和漏极阻挡层，

所述源极阻挡层将所述源极与所述栅极区隔开而所述漏极阻挡层将所述漏极与所述栅极区隔开。

17.如权利要求16所述的存储器阵列，其特征在于，所述源极阻挡层和漏极阻挡层在接近所述岛的地方比接近所述栅极的地方更薄。

18.如权利要求16所述的存储器阵列，其特征在于，所述第一存储器阵列层和所述第二存储器阵列层包括存储器单元的多个行和列。

19.如权利要求16所述的存储器阵列，其特征在于，还包括顺序地层叠以形成存储器阵列的三个或更多个存储器阵列层。

20.一种晶体管，包括：

源极；

漏极；

栅极区，所述栅极区包括：

栅极；

岛；以及

栅极氧化物，

所述栅极氧化物位于栅极和岛之间；而所述栅极和岛可相互作用地彼此耦合；以及

源极阻挡层和漏极阻挡层，

其中所述源极阻挡层将所述源极与所述栅极区隔开而所述漏极阻挡层将所述漏极与所述与所述栅极区隔开，并且所述源极阻挡层和所述漏极阻挡层在接近所述岛的地方比接近所述栅极的地方更薄。