[发明专利]半导体装置和具有其的电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一电容器、第二电容器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，其中：

所述第一电容器的第一电极电连接到第三线路并且所述第二电容器的第一电极电连接到第四线路；

所述第一晶体管的栅极电连接到所述第一电容器的第二电极；

所述第一晶体管的第一端子电连接到第二线路并且所述第一晶体管的第二端子电连接到所述第二电容器的第二电极；

所述第二晶体管的栅极电连接到所述第二电容器的第二电极；

所述第二晶体管的第一端子电连接到所述第二线路并且所述第二晶体管的第二端子电连接到所述第一电容器的第二电极；

所述第三晶体管的栅极电连接到所述第二电容器的第二电极；

所述第三晶体管的第一端子电连接到所述第二线路并且所述第三晶体管的第二端子电连接到第五线路；以及

所述第四晶体管的栅极和第一端子电连接到第一线路并且所述第四晶体管的第二端子电连接到所述第五线路，

其中所述第二电容器的电容值大于所述第一电容器的电容。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的导电类型是相同的。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一到第四晶体管为P沟道晶体管，并且所述第一线路的电势高于所述第二线路的电势。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管为N沟道晶体管，并且所述第一线路的电势低于所述第二线路的电势。

5.一种半导体装置，包括：

第一线路，被配置成提供第一电势；

第二线路，被配置成提供比所述第一电势低的第二电势；

第三线路，被配置成提供比所述第二电势高但是比所述第一电势低的第三电势；

第四线路，被配置成提供比所述第二电势高但是比所述第三电势低的第四电势；

偏移电路，所述偏移电路包括：

第一电容器，所述第一电容器的第一电极电连接到所述第三线路；

第二电容器，所述第二电容器的第一电极电连接到所述第四线路，其中所述第二电容器的电容小于所述第一电容器的电容；

第一晶体管，所述第一晶体管包括栅极、第一端子和第二端子，其中所述栅极电连接到所述第一电容器的第二电极，所述第一晶体管的第一端子电连接到所述第二线路并且所述第一晶体管的第二端子电连接到所述第二电容器的第二电极；

第二晶体管，所述第二晶体管包括栅极、第一端子和第二端子，其中所述第二晶体管的栅极电连接到所述第二电容器的第二电极和所述第一晶体管的第二端子，所述第二晶体管的第一端子电连接到所述第二线路并且所述第二晶体管的第二端子电连接到所述第一电容器的第二电极和所述第一晶体管的栅极；

输出端子，所述输出端子电连接到所述第二电容器的第二电极、所述第一晶体管的第二端子和所述第二晶体管的栅极，其中所述输出端子被配置成通过移动所述第三线路和第四线路的电平来输出偏移信号；以及

逻辑电路，所述逻辑电路电连接到所述输出端子，其中所述逻辑电路被配置成通过所述偏移信号来驱动并且输出信号。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一晶体管和第二晶体管的导电类型是相同的。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一晶体管和第二晶体管为P沟道晶体管。

8.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一晶体管和第二晶体管包括In、Ga、Zn和O。