[发明专利]存储设备的刷新处理方法和存储设备

说明书

技术领域

本发明实施例涉及存储技术，尤其涉及一种存储设备的刷新处理方法和存储设备。

背景技术

嵌入式动态随机访问存储器(Embedded Dynamic Random AccessMemory，以下简称：eDRAM)是一种各方面性能都比较理想的存储器。它在拥有动态随机访问存储器(Dynamic Random Access Memory，以下简称：DRAM)的高速率和大容量特点的同时，还可以像大多数静态随机访问存储器(Static Random Access Memory，以下简称：SRAM)一样与普通逻辑电路集成在一块芯片中，较好地实现了低延迟。

eDRAM的数据读写过程为：在写使能信号WR为高电平时，写地址信号WR_ADDR和写数据信号WR_DATA为有效输入，在时钟上升沿后，WR_DATA对应的数据被写入WR_ADDR对应的eDRAM地址中。对于读操作，在读使能信号RD为高电平时，读地址信号RD_ADDR为有效输入，在时钟上升沿后，RD_ADDR所对应的eDRAM地址中的存储值被读取，并且在一定的时钟周期，即读出延迟后，输出产生读数据信号RD_DATA。

eDRAM的每个存储单元必须在刷新周期内进行刷新才能保证正确性。eDRAM的刷新操作按照存储块(以下简称：bank)来划分，bank内的存储单元的刷新由存储器的内部电路自动完成，具体来说，访问控制器可以根据bank的编号依次进行刷新操作，一旦出现读写操作的bank和刷新操作的bank编号相同，则需要延迟读写操作，从而导致eDRAM的访问性能降低。

发明内容

本发明实施例提供一种存储设备的刷新处理方法和存储设备，以提高eDRAM的访问性能。

本发明实施例提供一种存储设备的刷新处理方法，包括：

根据访问请求中包含的存储块标识，确定在当前刷新周期的当前时间片内需要进行读写操作的存储块；

在所述当前时间片内，对所述当前时间片内的待选存储块中除需要进行读写操作的存储块之外的其它存储块执行刷新操作；

将所述当前时间片内未执行刷新操作的存储块作为所述当前刷新周期的其它时间片的待选存储块。

本发明实施例提供一种存储设备，包括：

访问控制器，用于根据访问请求中包含的存储块标识，确定在当前刷新周期的当前时间片内需要进行读写操作的存储块；

刷新处理器，用于在所述当前时间片内，对所述当前时间片内的待选存储块中除需要进行读写操作的存储块之外的其它存储块执行刷新操作，并将所述当前时间片内未执行刷新操作的存储块作为所述当前刷新周期的其它时间片的待选存储块。

本发明实施例，可以将存储设备，例如eDRAM的刷新周期划分为多个时间片且每个时间片中可包含至少一个时钟周期，在该时间片内，eDRAM的访问控制器可以根据访问请求确定哪些存储块需要执行读写操作，哪些存储块不需要执行读写操作，对于在该时间片内不执行读写操作的存储块，存储设备的访问控制器即可对这些不执行读写操作的存储块进行刷新操作。因此，本发明实施例中的刷新过程和读写过程相互无影响，因此，无需延迟读写操作，从而提高了存储设备的访问性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明存储设备的刷新处理方法实施例一的流程图；

图2为本发明存储设备的刷新处理方法实施例二的流程示意图；

图3为本发明存储设备的刷新处理方法实施例二的流程图；

图4为本发明存储设备的刷新处理方法实施例三的流程示意图；

图5为本发明存储设备的刷新处理方法实施例四的流程示意图；

图6为本发明存储设备实施例的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明存储设备的刷新处理方法实施例一的流程图，如图1所示，本实施例的方法可以包括：