[发明专利]高温超导单畴块材磁通冻结场测量装置及方法无效
| 申请号: | 201110410503.2 | 申请日: | 2011-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN102520378A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
| 发明(设计)人: | 连博文;左鹏翔;曹越;胡顺波;徐克西 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
| 主分类号: | G01R33/12 | 分类号: | G01R33/12 |
| 代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
| 地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高温 超导 单畴块材磁通 冻结 测量 装置 方法 | ||
1.一种高温超导单畴块材磁通冻结场测量装置,包括一个呈密封桶体的强磁体装置(1)、置于该装置中的低温杜瓦瓶(2)和围绕该瓶的超导强磁体(3),其特征在于:
(1)有一个三维支架(6)的垂直杆(22)下端伸入所述低温杜瓦瓶(2)内,与放置在该瓶内的高温超导单畴块材样品(13)相靠近并且与所述样品(13)上表面保持垂直,一个上位机(8)联接一个步进电动机驱动器(7),该步进电动机驱动器(7)通过3个RS232输出端口与所述三维支架(6)的3个RS232端口(20)相联接,驱动所述三维支架(6)中的三个步进马达(19)使垂直杆(22)作x、y、z轴方向的三维移动;
(2)所述三维支架(6)的垂直杆(22)下端临近样品(13)上表面装有一个低温霍尔探头(4),用于采集显示所述样品(13)表面垂直方向的磁通冻结场,该探头(4)通过15针D-sub接口的电缆线联接至一个高斯测量仪(9),并且该高斯测量仪(9)与所述上位机(8)相连接;所述强磁体装置(1)内部装有温度传感器(14),用来实时监测所述超导强磁体(3)的温度,该温度传感器(14)由所述强磁体装置(1)桶体表面的16针D-sub接口引出,通过电缆线联接至一个数字多用表(10)的20通道多路传输接口,并且该数字多用表(10)与所述上位机(8)相连接;
(3)有一个压缩制冷机(11)和一个分子真空泵(12)连接所述强磁体装置(1),对其制冷和抽真空;有一个磁体电源(5)接通所述超导强磁体(3)的线圈,用于产生充磁场。
2.根据权力要求1所述的高温超导单畴块材磁通冻结场测量装置,其特征在于:
所述上位机(8)采用装有美国国家仪器公司开发的软件Labview2009的PC机,所述步进电动机驱动器(7)采用美国国家仪器公司的MID-7604/7602型步进电动机驱动器,所述高斯测量仪(9)采用Lake Shore Cryotronics, Inc.公司的Model455DSP型高斯测量仪,所述低温霍尔探头(4)采用Lake Shore Cryotronics, Inc.公司的HMCA-2560-WN型低温霍尔探头,所述数字多用表(10)采用Keithley Instrument, Inc.公司的Model 2700型数字多用表,所述超导强磁体(3)采用Cryogenic Limited.公司的5T NbTi超导线圈强磁体,所述压缩制冷机(11)采用Sumitomo Heavy Industries, Ltd.公司F-50型压缩制冷机,所述分子真空泵(12)采用Edwards公司的EXPT型分子真空泵。
3.根据权力要求1所述的高温超导单畴块材磁通冻结场测量装置,其特征在于:
所述三维支架(6)主要构件为x轴滑动槽(15)、y轴滑动槽(16)、z轴滑动槽(17)和一个支撑杆(18),所述x轴滑动槽(15)驱动所述y轴滑动槽(16)运动,所述y轴滑动槽(16)驱动所述z轴滑动槽(17)运动,所述z轴滑动槽(17)驱动所述支撑杆(18)运动;其中每个滑动槽(15,16,17)内部含有一个步进马达(19)、一个RS232接口(20)和一个驱动杆(21),所述RS232接口(20)通过串口线连接至所述步进电动机驱动器(7),所述步进马达(19)的运动状态由所述RS232接口(20)接收到的信号控制,该步进马达(19)一端连接有所述驱动杆(21),该驱动杆(21)与上层滑动槽固定连接成一体的螺母旋配而驱动上层构件在滑动槽(15,16,17)上进行移动,所述支撑杆(18)垂直连接垂直杆(22)和水平杆(23)。
4.一种高温超导单畴块材磁通冻结场测量方法,采用根据权利要求1所述的高温超导单畴块材磁通冻结场测量装置进行测量,其特征在于测量步骤如下:
1)用分子真空泵(12)对强磁体装置(1)抽真空,当内部大气压小于0.1Pa之后压缩制冷机(11)进行制冷,直至强磁体装置(1)内部温度保持在4K,其中强磁体装置(1)内部超导强磁体(3)温度可由数字多用表(10)获取;
2)低温杜瓦瓶(2)中放入待测高温超导单畴块材样品(13),低温霍尔探头(4)固定在三维支架(6)的垂直杆(22)上并且定位在距离样品(13)上表面1.5mm处,打开充磁磁体电源(5),使超导强磁体(3)产生5T充磁场;
3)低温杜瓦瓶(2)中倒入液氮,液氮稳定后样品(13)进入超导态;
4)撤去外加磁场:调节磁体电源(5),将外磁场降到零,由于样品(13)磁通冻结场的初始峰值不能用于实际装置的设计,外磁场降到零后需要等待15分钟再开始采集数据;
5)使用上位机(8)控制步进电动机驱动器(7),通过三维支架(6)的垂直杆(22)的移动定位低温霍尔探头(4)扫描起始位置,然后上位机(8)决定x轴、y轴扫描步长和范围,步长应小于被扫描x-y平面最大尺寸的10%,参数设定完后步进电动机驱动器(7)驱动三维支架(6)进行x-y平面运动,测量开始;
6)高斯测量仪(9)将测得样品(13)的磁通冻结场数值传输至上位机(8),上位机(8)保存数据,将x轴、y轴坐标和接收到的特斯拉值一一对应,绘制出样品(13)z轴方向磁通冻结场的分布图。
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