[发明专利]集成半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成半导体器件，所述集成半导体器件包括形成在半导体衬底的有源区处的场效应晶体管和形成在所述半导体衬底的隔离区上的电阻器，其特征在于，

所述场效应晶体管包括由从下至上依次布置的电介质层、第一导电层和第二导电层的各自部分形成的栅极叠层结构；以及

所述电阻器包括由第一导电层的环形部分形成的电阻器体以及由第二导电层在所述电阻器体的端部上的部分形成的电阻器端子。

2.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，第一导电层包含金属元素。

3.根据权利要求2所述的集成半导体器件，其特征在于，第一导电层包含选自Ti、Ta、TiN、TiAl、TaC和TaN的材料。

4.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，第一导电层的厚度在至的范围内。

5.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，所述环形部分的宽度在1nm至10nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，所述第一导电层包括多个导电子层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的集成半导体器件，其特征在于，第二导电层包含选自多晶硅、Al、W和Ag的材料。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的集成半导体器件，其特征在于，所述电介质层包含高K电介质材料。

9.根据权利要求8所述的集成半导体器件，其特征在于，所述高K电介质材料包含铪元素。

10.根据权利要求9所述的集成半导体器件，其特征在于，所述高K电介质材料选自HfO₂、HfSiO、HfSiON和HfZrO₄。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的集成半导体器件，其特征在于，所述集成半导体器件还包括电连接至所述场效应晶体管的接触和电连接至所述电阻器端子的接触。

12.根据权利要求11所述的集成半导体器件，其特征在于，电连接至所述场效应晶体管的所述接触和电连接至所述电阻器端子的所述接触相互电连接。

13.一种制造集成半导体器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

在半导体衬底上依次形成电介质层、第一导电层和第二导电层；

通过对所述电介质层、第一导电层和第二导电层进行第一图案化处理，在所述半导体衬底的有源区和隔离区上分别形成场效应晶体管的栅极叠层结构和电阻器叠层结构；

在所述栅极叠层结构和所述电阻器叠层结构的外侧形成第一侧壁间隔件；

通过第二图案化处理，去除所述电阻器叠层结构的第二导电层在其端部之间的部分；

在所述电阻器叠层结构的内侧形成第二侧壁间隔件；以及

以所述第二侧壁间隔件为掩模，去除所述电阻器叠层结构的第一导电层的一部分，从而形成所述电阻器叠层结构的第一导电层的环形部分。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，第一导电层包含金属元素。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，第一导电层包含选自Ti、Ta、TiN、TiAl、TaC和TaN的材料。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，第一导电层的厚度在至的范围内。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述环形部分的宽度在1nm至10nm的范围内。

18.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一导电层包括多个导电子层。

19.根据权利要求13至18中任一项所述的方法，其特征在于，第二导电层包含选自多晶硅、Al、W和Ag的材料。

20.根据权利要求13至18中任一项所述的方法，其特征在于，所述电介质层包含高K电介质材料。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述高K电介质材料包含铪元素。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述高K电介质材料选自HfO₂、HfSiO、HfSiON和HfZrO₄。