[发明专利]埋容线路板的加工方法有效
| 申请号: | 201110398687.5 | 申请日: | 2011-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN103140050A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
| 发明(设计)人: | 崔荣;罗斌;冷科 | 申请(专利权)人: | 深南电路有限公司 |
| 主分类号: | H05K3/30 | 分类号: | H05K3/30 |
| 代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 张明 |
| 地址: | 518053 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 线路板 加工 方法 | ||
技术领域
本发明属于应刷电路板加工制造技术领域,具体涉及一种埋容线路板的加工方法。
背景技术
随着现在PCB(Printed Circuit Board印刷电路板)实现越来越多的功能,PCB上相应的电子器件也越来越多,PCB上可利用的剩余空间越来越小。如果PCB上还要增加新功能的话,往往因为PCB上的空间局限而作罢,或者在PCB上增加新的功能后,使得PCB的体积过大,不利于产品的装配。
由于电子产品都往小型化的方向上发展,对PCB有了更高的要求,需要设计出减少PCB上安装的电子器件数量,从而能够获得集成度高的PCB。
现有技术提出解决PCB体积过大的问题,即在PCB上埋容,即在PCB的内部形成电容,称为埋容层,埋容层采用高介电常数的介质层,其两面铺满铜层,为了保证其埋容层的容值和为了减少其微薄(通常只有15um)的介质层在加工时不易受到损伤,决定着埋容层都是以满板铺铜设计,其铜面上需要设计电路,电路必然需要设置于其他层相连的通孔,或者需要断开的电路,其断开的位置通过隔离环和非功能焊盘来实现。
通过设置隔离环和非功能焊盘决定着埋容层在加工过程中,只要隔离环与焊盘中间有一丝残铜就会导致埋容层短路,参照附图1,首先将埋容层1进行下料,如附图1的a图所示,之后将埋容层1的第一表面进行图形转移,如附图1的b图所示,之后将所示将埋容层1进行层压,采用半固化片2作为中间层,中间层以半固化片PP(聚丙烯板)为例,其中PP粉主要在埋容层1叠板和叠层时产生;由于这两个步骤必须使用PP,常规的层压净化间的清洁度与加工工艺方法是无法完全避免PP粉粒的污染,导致细小的粉粒固化后形成残胶3,铲平刷板主要是将板 面已经固化的PP粉粒(胶粒)除去,但效果不理想,很难保证将板面完全铲刷干净,而且已经形成的胶粒凹坑也无法挽救,如附图1的c图所示,图中位于电路板下侧的残胶3硬度较高,当铲平刷板时,残胶挤入铜箔,铜箔另一面产生凸起,凸起对介质层进行挤压,严重时将介质层断开,两个表面的铜箔相通引起微短路,如附图c、d及e中的微短区6,另一方面有些残胶3粘附在埋容层的第二表面上,之后对埋容层1的第二表面进行图形转移,例如采用曝光、显影、蚀刻,则由于表面贴覆残胶3导致其位于残胶下侧的导电铜箔12不被蚀刻液蚀刻导致压合后的埋容线路板内层短路,如附图d及e的短路区5,常规的工艺流程加工会出现近70%以上的内层短路和微短路报废。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有效防止埋容线路板内层短路或者微短路的一种埋容线路板的加工方法。
为解决上述技术问题,本发明提供一种埋容线路板的加工方法,所述埋容线路板包括埋容层和线路层,所述埋容层埋设于线路层之内,且所述埋容层包括第一埋容层和第二埋容层,所述第一埋容层和第二埋容层分别包括第一表面和第二表面,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1.准备第一表面制作有电路图形的第一埋容层和第二埋容层;
步骤2.在第一埋容层和第二埋容层的第二表面贴覆保护层;
步骤3.将第一埋容层的第一表面与半固化片及第二埋容层的第一表面压合;
步骤4.将贴覆的保护层去除;
步骤5.制作出第一埋容层和第二埋容层第二表面电路;
步骤6.将步骤5所述埋容层压合埋设于线路层中。
作为本发明的改进,所述第一埋容层和第二埋容层分别包括N层电容层和M层电容层,N为大于等于1的自然数,且所述N和所述M相等或不相等。
作为本发明的改进,所述电容层包括第一表面和第二表面,所述第 一埋容层和/或第二埋容层的加工方法包括如下步骤:
步骤a:加工出电容层第一表面的线路;
步骤b:1)保护层贴覆于电容层第二表面,2)一电容层的第一表面通过半固化片与另一电容层的第一表面粘接,形成粘接电容层,3)去除保护层;
进行步骤c:加工出所述粘接电容层一表面线路并用保护层贴覆于所述粘接电容层的另一面,所述粘接电容层又通过半固化片与另一电容层的第一表面粘接形成又一粘接电容层;
当N或M等于1时,只执行步骤a即完成第一和/或第二埋容层的制作,当N或M等于2时,需继续进行步骤b才完成第一和/或第二埋容层的制作,当N或M等于3时,需继续进行步骤c才完成第一和/或第二埋容层的制作,当N或M大于等于4时,还需重复步骤3,直至将所述N个或M个电容层加工成一整体,才形成所述第一埋容层和/或第二埋容层。
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