[发明专利]通量编程的多位磁存储器

权利要求书

1.一种存储器单元，包括与具有磁性过滤器的第二磁性隧道结(MTJ)毗邻的第一磁性隧道结(MTJ)，所述第一MTJ通过第一磁通量被编程至第一逻辑状态，同时所述磁性过滤器吸收所述第一磁通量以防止所述第二MTJ被编程。

2.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述第一磁通量的吸收使所述磁性过滤器饱和并引发从磁性隔绝至磁性传导的转变。

3.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述第一和第二MTJ通过大于一预定值的第二磁通量被同时编程。

4.如权利要求3所述的存储器单元，其特征在于，所述第一磁通量低于所述预定值。

5.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述磁通量是通过使电流流过非接触地毗邻于所述MTJ的字线而产生的。

6.如权利要求5所述的存储器单元，其特征在于，所述第一和第二MTJ各自沿一长轴延伸，所述长轴垂直于电流沿字线的流动。

7.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述磁性过滤器是具有低矫顽性的软磁材料。

8.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述第一和第二MTJ各自在顶表面上耦合于读线并在底表面上耦合于源平面。

9.如权利要求8所述的存储器单元，其特征在于，所述源平面连接于选择设备，所述选择设备选择性地允许读取所述第一和第二MTJ。

10.如权利要求1所述的存储器单元，其特征在于，所述第一MTJ具有与所述第二MTJ不同的阻抗。

11.如权利要求10所述的存储器单元，其特征在于，由于所述第一MTJ的隧道结具有比所述第二MTJ的隧道结更大的厚度，所述第一MTJ具有比所述第二MTJ更大的阻抗。

12.一种方法，包括：

提供与具有磁性过滤器的第二MTJ毗邻的第一磁性隧道结(MTJ)；以及

以第一磁通量将所述第一MTJ编程为第一逻辑状态，同时磁性过滤器吸收第一磁通量以防止第二MTJ被编程。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述磁通量是通过使电流流过非接触地毗邻于所述第一和第二MTJ的字线而产生的。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述磁通量小于预定阈值。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，大于预定阈值的第二磁通量使所述磁性过滤器饱和并对所述第一和第二MTJ编程。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一磁通量沿第一方向流动而所述第二磁通量沿相反的第二方向流动。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一和第二MTJ通过相继地使所述第二磁通量通过并随后使所述第一磁通量通过而被编程至相反的磁化。

18.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一和第二MTJ耦合于源平面，所述源平面连接于选择设备，所述选择设备选择性地允许对MTJ的同时读取。

19.一种存储器单元，包括：

第一磁性隧道结(MTJ)，所述第一磁性隧道结具有与包括磁性过滤器的第二MTJ毗邻的磁性传导间隔层，所述传导间隔层和所述磁性过滤器各自附连于各MTJ的顶表面和读线；

字线，所述字线通过所述读线与所述第一和第二MTJ分隔，所述第一MTJ通过第一磁通量被编程至第一逻辑状态，所述第一磁通量是由流过所述字线并低于预定值的第一电流产生的，同时所述磁性过滤器吸收所述第一磁通量以防止所述第二MTJ被编程。

20.如权利要求19所述的存储器单元，其特征在于，通过使高于所述预定阈值的第二电流流过所述字线以产生对两MTJ编程的第二磁通量并使所述第一电流流过所述字线，所述第一和第二MTJ被编程至相反的逻辑状态。