[发明专利]离子注入机有效
| 申请号: | 201110391312.6 | 申请日: | 2011-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN103137447A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
| 发明(设计)人: | 王蒙;李勇滔;赵章琰;李超波;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
| 代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 离子 注入 | ||
1.一种离子注入机,包括电源系统,其特征在于,还包括:
反应腔室、预抽腔室、真空控制系统、送片系统及送气系统;
所述真空控制系统分别与所述反应腔室、所述预抽腔室连接;所述反应腔室与所述预抽腔室连接;所述送片系统用于将硅片从所述预抽腔室运输至所述反应腔室,并将硅片运输至所述反应腔室内的离子反应位置;所述送气系统用于向所述反应腔室通入反应与吹扫气体。
2.根据权利要求1所述的离子注入机,其特征在于,所述真空控制系统包括:
分子泵、第一机械泵、第二机械泵、分支泵、真空计、连接在所述预抽腔室和反应腔室之间的门阀、电磁阀、摆阀以及气体管路中的各级气动阀;
所述第一机械泵的一支路通过电磁阀与所述反应腔室连接,另一支路依次通过电磁阀、分子泵以及摆阀与所述反应腔室连接;
所述第二机械泵通过所述电磁阀与所述预抽腔室连接;
所述真空计分别与所述预抽腔室和反应腔室连接。
3.根据权利要求1所述的离子注入机,其特征在于,所述送片系统包括:
真空机械手及带有弹性的多点支撑式的持片结构的下电极;
所述真空机械手将硅片从所述预抽腔室运输至所述反应腔室;
所述下电极将所述硅片固定于所述反应腔室上方。
4.根据权利要求1所述的离子注入机,其特征在于,所述送气系统包括:
气源、质量流量控制器和电磁阀;
所述气源依次通过所述质量流量控制器、电磁阀与所述反应腔室连接。
5.根据权利要求1-4任一项所述的离子注入机,其特征在于,所述电源系统包括:
射频电源、射频电源匹配器及脉冲电源;
所述脉冲电源与所述反应腔室连接;所述射频电源通过所述射频电源匹配器与所述反应腔室连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110391312.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





