[发明专利]晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201110383473.0 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137481A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张彬;邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 制作方法 | ||
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；
所述栅极结构为掩膜，刻蚀去除部分厚度的半导体衬底；
在栅极结构两侧的半导体衬底上形成侧墙；
在栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底上形成硅外延层；
对所述栅极结构和侧墙两侧的硅外延层和半导体衬底进行掺杂，形成源/漏区；
在源/漏区和栅极结构上形成硅化镍接触区。
2.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述刻蚀去除部分厚度的半导体衬底采用等离子体刻蚀工艺。
3.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述刻蚀去除部分厚度的半导体衬底的去除厚度为100～300埃。
4.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氧化硅或氮化硅。
5.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述硅外延层的厚度为100～300埃。
6.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述硅化镍接触区的形成步骤包括：在硅外延层和栅极结构表面形成镍金属层；对镍金属层进行退火工艺，镍金属层中的镍与硅外延层及栅极结构中的硅材料在退火过程中进行反应，在源/漏区和栅极结构上形成硅化镍接触区。
7.如权利要求6所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述在形成镍金属层步骤之后，还包括步骤：在所述镍金属层表面形成氮化钛层。
8.如权利要求6所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火工艺包括第一退火工艺和第二退火工艺。
9.如权利要求8所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一退火工艺的退火温度为220～300摄氏度，时间为20～90秒。
10.如权利要求8所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二退火工艺的退火温度为400～600摄氏度，时间为20～90秒。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110383473.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双头梅花扳手
- 下一篇：静压气体轴承及使用该静压气体轴承的直动引导装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
